Direction scientifique
Transfert de connaissances vers l'industrie

Nos Thèses par thème

Modélisations, caractérisations et optimisations du transport électronique aux interfaces des cellules PV à contacts passivants

Département des Technologies Solaires (LITEN)

Laboratoire HETerojonction

Physique des semiconducteurs, dispositifs photovoltaïques

01-10-2020

SL-DRT-20-1015

wilfried.favre@cea.fr

Energie solaire pour la transition énergétique (.pdf)

Réduire les pertes résistives dans les cellules PV est un levier majeur pour atteindre les rendements ultimes. Les acteurs majeurs du PV tentent de qualifier ces pertes aux différentes interfaces des dispositifs mais il n'existe pas encore de consensus pour caractériser et modéliser ces pertes de façon fiable operando: nombreuses stratégies pour la fabrication des véhicules de tests (trop éloignées du procédé cellule) et leur caractérisation (structures transverses, planaires, à l'obscurité). Ce travail s'articule autour de deux tâches principales: (i) établir une méthodologie de référence pour analyser et quantifier les pertes résistives dans les cellules PV à l'aide d'un dispositif de caractérisation innovant. (ii) développer et valider un modèle physique des interfaces et contacts. Ces nouvelles connaissances permettront d'optimiser les cellules PV silicium en fonction des conditions d'éclairement et de température, mais aussi la collecte et recombinaison des charges dans les cellules tandem.

Télécharger l'offre (.zip)

Mécanismes d'interaction de l'hydrogène avec les défauts de volume du silicium et d'interface dans les contacts passivés des cellules PV

Département des Technologies Solaires (LITEN)

Laboratoire HoMoJonction

Matériaux / Physique du solide

01-10-2020

SL-DRT-20-1018

raphael.cabal@cea.fr

Energie solaire pour la transition énergétique (.pdf)

Bien que fluctuant, le marché du photovoltaïque est toujours dominé par les technologies silicium occupant ~94 %. Les architectures de cellule homo-jonction les plus prometteuses intègrent systématiquement un contact dit « passivé » à travers un empilement de silicium poly-cristallin sur oxyde tunnel. L'hydrogénation de telles structures permet d'atteindre des rendements très performants >25%. Néanmoins, l'introduction d'hydrogène peut également mener par des effets d'accumulation aux interfaces à la délamination des couches ou à des pertes résistives dégradant significativement l'efficacité du dispositif final. Pour éviter ses effets et développer ce type de structure avec les rendements associés, il est primordial de comprendre les interactions de l'hydrogène mises en jeu et de comprendre son rôle dans les phénomènes de passivation. Cependant, l'hydrogène est un élément extrêmement difficile à caractériser de par sa nature même. Sa caractérisation représente donc un réel challenge, auquel s'ajoutent les difficultés liées à l'état de surface texturée du silicium solaire et à la configuration des interfaces poly-Si/SiOx/Si. Pour répondre à ce défi, le travail proposé ici sera de mettre en ?uvre et corréler les techniques de caractérisation, permettant à la fois de localiser et quantifier l'hydrogène dans le volume du silicium et aux interfaces des structures de contact passivés. La mise en place d'une méthodologie de caractérisation mènera à l'objectif majeur de la thèse qui est de proposer des mécanismes d'interaction de l'hydrogène avec les défauts et son rôle dans la qualité des contacts passivés. Cela permettra d'ouvrir des perspectives pour le développement et l'optimisation des structures à contact passivé. Cette étude bénéficiera de l'infrastructure de réalisation des échantillons du CEA-LITEN à INES et des moyens de caractérisation de la plateforme de nano-caractérisation avec son environnement d'experts.

Télécharger l'offre (.zip)

Integrations de dispositifs innovants mixants RF et applications faibles puissances en vue d'une platforme SOC FDSOI avancée

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire d'Intégration des Composants pour la Logique

MASTER 2 microelectronique, nanotechnologies etc...

01-10-2020

SL-DRT-20-1027

claire.fenouillet-beranger@cea.fr

Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique (.pdf)

Les appareils mobiles (portables, smartphones, etc?) connectés au cloud permettent une communication partout et à tout moment. Les récents développements en communication sans fils avec l'émergence des standards radiofréquences comme les LTE, LTE-A et 5G apportent de nouveaux challenges. Un des challenges les plus importants est d'intégrer plus de complexité, d efficacité de puissance à un moindre cout sur une même puce. En parallèle, le développement de CMOS nanométriques aussi bien qu'au-delà du CMOS pour le switching, les mémoires et les fonctions analogiques, le besoin croissant d'intégrer des fonctions hétérogènes (communication RF, sensors, actuators etc?) aide à migrer vers des intégrations system in package (SiP) ou SOC. En effet les SOC avec intégrations hétérogènes de multiples technologies ont vraiment révolutionné l'industrie des semi-conducteurs. Grace aux substrats SOI trap-rich inventés par l'UCL et développé en collaboration avec SOITEC, les performances RF sur ce type de substrat sont excellentes. De plus la présence de l'oxyde enterrée ne réduit pas seulement les capacités mais offre aussi l'opportunité d'utiliser des substrat haute résistivité, afin de réduire les pertes RF liées au substrat ainsi que le couplage. Cependant dans le cas de SOC l'intégration trap-rich doit être localisée et des solutions doivent donc être envisagées. Le candidat devra donc : Intégrer des structures RF sur une plateforme 300mm 28nm FDSOI Caractériser l'impact des substrats HR, trap-rich, etc?sur les figures de mérites RF Imaginer et intégrer des process flow avec des modules Trap-rich localisés Intégrer des modules technologiques sur des nouveaux designs et les caractériser

Télécharger l'offre (.zip)

Conception, fabrication et caractérisation de composants photoniques Silucium sub-longueur d'onde par lithographie à immersion

Département d'Optronique (LETI)

Laboratoire d'Intégration Photonique sur Silicium

Ecole d'ingénieur ou Master Physique de la matière condensée, Composants et matérieux Semiconducteurs et/ou micro nanotechnologie

01-10-2020

SL-DRT-20-1042

cecilia.dupre@cea.fr

Photonique, imageurs et écrans (.pdf)

Les besoins en communications de données ont explosé ces dernières années. Pour répondre à cette demande, les liaisons optiques utilisées pour les communications longues distances sont maintenant déployées pour des distances moyennes, dans les datacenters. Les composants fabriqués en photonique Si répondent à ces besoins : ils bénéficient des technologies CMOS permettant ainsi des coûts faibles de fabrication, des performances élevées et d'excellents rendements. La structuration sub-longueur d'onde du Silicium permet d'obtenir de nouvelles propriétés optiques de ces composants. Cette structuration périodique du guide optique en Silicium a déjà été exploré et a démontré des propriétés fortement améliorées : réduction des pertes et augmentation significative de la bande passante. Par ailleurs, le CEA-Leti dispose d'une plateforme photonique Si comprenant un outil de lithographie à immersion permettant de définir des de manière robuste et précise ces nouveaux composants aux dimensions agressives (50nm). Les objectifs de cette thèse sont de (i) dimensionner de nouveaux composants large bande et faibles pertes en utilisant la structuration sub longueur d'onde (ii) mettre en oeuvre leur fabrication au sein d'une plateforme Si pour aller au-delà des démonstrations laboratoires déjà disponibles et (iii) caractériser les composants obtenus. Cette thèse basée au CEA-Leti (Grenoble) se déroulera en étroite collaboration avec le C2N-CNRS (Paris-Saclay).

Télécharger l'offre (.zip)

160 (Page 27 sur 27)
first   previous  23 - 24 - 25 - 26 - 27
-->

Voir toutes nos offres