Direction scientifique
Transfert de connaissances vers l'industrie

Les Post-Docs par thème

Jonction tunnel pour LEDs UV: caracterisation et optimisation

Département d'Optronique (LETI)

Laboratoire des Matériaux pour la photonique

PhD in material science

01-09-2018

PsD-DRT-18-0047

guy.feuillet@cea.fr

Au-dela des lampes UV actuelles, les LEDs émettant dans le domaine de l'UV-C (autour de 265 nm) sont considérées comme la solution à moyen terme pour les systèmes de traitement de stérilisation de l'eau. Mais les LEDs UV-C, à base de matériaux du type AlGaN et de leurs hétérostructures à puits quantiques sont encore de trop faible efficacité pour leur utilisation dans des systèmes industriels. L'analyse des raisons qui sous-tendent cette faible efficacité nous ont amenés à proposer une solution basée sur l'utilisation de jonctions tunnel insérées dans l'hétérostructure. L'utilisation de jonctions tunnel p+ / n+ permet d'adresser les problèmes liés au dopage des matériaux grands gaps, mais donne lieu à une résistance tunnel qui doit être diminuée autant que possible. Le travail post-doctoral est dédié à la compréhension des processus tunnel à l'?uvre dans la jonction pour un meilleur contrôle de la résistance tunnel. Le travail post-doctoral sera effectué sur la Plate-Forme de Nano-Caractérisation au CEA/ Grenoble, en faisant appel à différents types de caractérisation structurale, optique et électrique, sur de simples jonctions ou sur des jonctions insérées dans les LEDs UV. Le (la) candidat(e) interagira fortement avec l'équipe du CNRS/CRHEA à Sophia Antipolis où seront épitaxiées les structures. Le travail s'inscrit dans le cadre d'un projet collaboratif « DUVET » financé par l'ANR.

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Developement de modules technologique à basse temperature pour la 3D sequentielle en vue de la fin de la roadmap

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire d'Intégration des Composants pour la Logique

Phd en microelectronique

01-03-2019

PsD-DRT-19-0048

claire.fenouillet-beranger@cea.fr

L'intégration 3D séquentielle est envisagée comme l'une des solutions possibles pour la fin de la roadmap CMOS. Différents modules process ont été développés à 500°C en FDSOI planaire en intégration gate first. Cependant compte-tenus des résultats récents de stabilité des transistors du bas obtenus, des considérations de rendement, un besoin de réduire encore cette température à 450°C est envisagé. Ainsi le post-doctorant aura en charge le développement de modules technologiques à basses températures 450°C et 500°C pour du FDSOI planaire. Une attention particulière sera apportée au développement du module grille à basse température. La modulation de la tension de seuil sera aussi adressée. Ce travail sera fait en collaboration avec les équipes process de la plateforme technologique du LETI ainsi qu'avec les equipes de caractérisation électrique et de simulations TCAD.

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Report de composants de puissance pour amélioration des performances

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire Intégration et Transfert de Film

Ph.D.

01-04-2018

PsD-DRT-18-0060

julie.widiez@cea.fr

Une thèse actuellement dans le laboratoire a permis de démontrer l'intérêt du report d'un HEMT de puissance en GaN sur une embase métallique en cuivre vis-à-vis du self heating sans dégrader la tenue en tension du composant. Il y a encore beaucoup de points à étudier pour améliorer au mieux les composants de puissance. Actuellement des labos comme l'IEMN, HKUST et MIT s'intéressent à ce procédé et étudient des solutions connexes. Nous proposons de comprendre quelle est la meilleure intégration à faire pour éliminer le self-heating et augmenter la tenue en tension du composant initial. L'impact sur la polarisation du GaN et sur la qualité du gaz 2D sera analysée. La même approche pourra être faite si besoin sur les composants RF. Différents empilements seront réalisés par le post-doc et il aura en charge de réaliser les caractérisations électriques. La compréhension du rôle de chaque partie de la structure sera primordiale pour décider de l'empilement final. Ce procédé sera également amené en grandes dimensions. Ce post-doc travaillera si besoin en collaboration avec les différentes thèses sur les composants de puissance.

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Développement de panneaux solaires flexibles pour applications spatiales

Département des Technologies Solaires (LITEN)

Laboratoire Photovoltaïque à Concentration

Doctorat

01-04-2018

PsD-DRT-18-0066

philippe.voarino@cea.fr

Les panneaux solaires utilisés conventionnellement pour alimenter en énergies les satellites sont encombrants et reliées entre eux par de lourdes pièces mécaniques. Plus légers et plus compacts, les panneaux solaires flexibles consistent en une peau souple servant de support aux cellules solaires qui transforment la lumière en électricité. Etant flexibles, les panneaux solaires pourraient s'enrouler ou se plier, sans l'aide de moteurs, les rendant ainsi moins lourds et coûteux que les panneaux solaires conventionnels. D'un autre côté, le secteur des satellites est en train de migrer d'une configuration mono satellitaire à une configuration de constellation de satellites. Ces dernières années, le besoin de production de masse de satellites légers s'est accru. Les fabricants de panneaux solaires sont mis à l'épreuve sur leur capacité à affronter ces nouveaux besoins en termes de capacité de production et d'adaptabilité de leurs lignes de production. C'est exactement sur ces points que le photovoltaïque spatial peut apprendre du photovoltaïque terrestre. Pour affronter ces nouveaux défis, le Liten a commencé à travailler sur ces sujets il y a plus de deux ans. Dans le cadre de ce post-doc, nous proposons de développer une architecture innovante de panneau solaire flexible en utilisant des procédés de fabrication à fort potentiel industriel. Nous cherchons pour cela un candidat avec une forte expérience dans le domaine des polymères et de leur mise en ?uvre, avec aussi une expérience en mécanique. Toute expérience antérieure dans le photovoltaïque sera avantageusement considérée.

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Détection de cyber-attaques dans un capteur embarqué pour l'analyse de sols

Département Architectures Conception et Logiciels Embarqués (LIST-LETI)

Laboratoire Infrastructure et Ateliers Logiciels pour Puces

These

01-04-2019

PsD-DRT-19-0071

anca.molnos@cea.fr

Ce post-doc aura pour charge d'appliquer des techniques de « machine learning » pour la détection attaques sur un système de multiples capteur connectés. Le domaine applicatif concerne l'agriculture, pour lequel le CEA LETI réalise déjà plusieurs projets, dont le projet H2020 SARMENTI (Smart multi-sensor embedded and secure system for soil nutrient and gaseous emission monitoring). L'objectif de SARMENTI est de développer et valider un système multi-capteurs à basse consommation, sécurisé et connecté au « cloud, » qui permettra une analyse in situ et en temps?réel des nutriment et de la fertilité du sol afin de fournir une aide à la décision aux agriculteurs. Dans ce cadre, le post-doc aura la charge des analyses de cyber-sécurité, de déterminer les risques principaux sur ces capteurs connectés, mais également de la spécification du module de détection d'attaques. L'algorithme de détection sous-jacent sera basé sur la détection d'anomalie, par ex. « one class classifier. » Ce travail aura trois parties, l'implémentation des sondes qui analyseront des événements sélectionnés, l'infrastructure de communication entre les sondes et le détecteur, ainsi que le détecteur proprement dit.

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Developement de la technologie FDSOI au delà du noeud 10nm

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire d'Intégration des Composants pour la Logique

Doctorant en microelectronique

01-11-2018

PsD-DRT-18-0074

claire.fenouillet-beranger@cea.fr

Le FDSOI est reconnue comme une technologie prometteuse pour les applications mobiles, l'IOT ainsi que pour les applications radiofréquences pour les futurs n?uds technologiques [1]. Le LETI est un pionnier dans la technologie FDSOI ce qui lui permet d'apporter des solutions innovantes afin de soutenir des partenaires industriels. La réduction d'échelle du FDSOI au delà du n?ud 10nm offres de nouvelles perspectives en termes de SOC et de performances RF. En revanche d'un point de vue intégration cela pose de nouveaux challenges. En effet le réduction de l'épaisseur du canal en dessous de 5nm devient difficile car il faut garantir une bonne mobilité des porteurs tout en conservant une bonne variabilité. Ainsi, l'introduction de solutions technologiques innovantes comme booster de performances devient nécessaire (Stress dans le canal, architectures alternatives de grille, optimisation des capacités parasites, le tout en tenant compte des règles de dessin de plus en plus agressives [2]). La viabilité de ces nouveaux concepts devra être validée dans un premier temps par simulations TCAD et ensuite implémentés sur des lots 300mm. Ce sujet est en ligne parfaite avec la nouvelle stratégie du LETI ainsi qu'en total accord avec l'annonce des futurs investissements [3]. Le candidat sera en charge des simulations TCAD pour définir les variantes à intégrer sur les lots jusqu'à la caractérisation électrique. Les simulations TCAD seront faites en collaboration avec l'équipe TCAD du LETI. Le candidat devra faire preuve d'innovation, de dynamisme, un bon relationnel pour travailler en équipe est indispensable. [1] 22nm FDSOI technology for emerging mobile, Internet-of-Things, and RF applications, R. Carter et al, IEEE IEDM 2016. [2] UTBB FDSOI scaling enablers for the 10nm node, L. Grenouillet et al, IEEE S3S 2013. [3]https://www.usinenouvelle.com/article/le-leti-investit-120-millions-d-euros-dans-sa-salle-blanche-pour-preparer-les-prochaines-innovations-dans-les-puce

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