Direction scientifique
Transfert de connaissances vers l'industrie

Les Post-Docs par thème

Simulation de nanofils semi-métalliques

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire d'Intégration des Composants pour la Logique

Doctorat dans le domaine de la simulation ab-initio basée sur les techniques DFT (density functional theory).

01-11-2017

PsD-DRT-18-0004

jean-pierre.colinge@cea.fr

La mission du candidat sera : ? Simulation utilisant des outils ab-initio de la structure de bandes de nanofils de bismuth de différent diamètres (de 1 nm à 10 nm). ? Extraction de paramètres tes que masses effectives, densité d'états, band offsets pour ces nanofils. ? Implémentation de ces paramètres dans un simulateur NEGF pour simuler des transistors en nanofils de bismuth à diamètre variable. ? Simulation ab-initio de l'interface nanofil de bismuth ? diélectrique et étude de différents éléments de passivation chimique. ? Ce travail se fera en collaboration avec le groupe LETI/DCOS/SCME/LSIM (Philippe Blaise) ? Le candidat interagirera avec une équipe expérimentale qui fabriquera les dispositifs simulés et sera amené à aider à encadrer un ou plusieurs doctorants, en collaboration avec IMEP. ? Le candidat interagirera avec le LTM pour les aider à prédire les propriétés de l'interface bismuth-isolant de grille et pour implémenter dans le simulateur les résultats de mesures sur ces interfaces (IMEP).

Gestion d'incertitudes dans un processus de simulation par intégration de données

Département Imagerie Simulation pour le Contrôle (LIST)

Laboratoire Simulation et Modélisation en Electro-magnétisme

Doctorat en Mathématiques appliquées, Statistiques

01-12-2017

PsD-DRT-18-0007

christophe.reboud@cea.fr

Dans le domaine du Contrôle non Destructif (CND), le concept de la probabilité de détection (POD) et de probabilité de fausse alarme, qui lui est associée, est au coeur de la démarche d'évaluation de la performance des procédés de contrôle. L'approche de calcul par simulation de ces probabilités est aujourd'hui basée sur une méthode de propagation d'incertitudes définies sur des paramètres d'entrée de modèles physiques. Le département DISC de l'institut CEA LIST développe la plateforme logicielle CIVA, qui est un outil de référence dans la communauté du CND. Le sujet proposé vise d'une part à améliorer la description statistique des paramètres incertains renseignée en entrée du processus de propagation d'incertitudes, et d'autre part à prendre en compte par une stratégie de recalage des modèles des phénomènes non modélisés, comme des perturbations environnementales ou des facteurs humains. La solution envisagée pour atteindre ces deux objectifs ambitieux consiste à intégrer dans ce processus de simulation des connaissances extérieures au modèle, obtenues à partir de données expérimentales. Pour ce faire, le travail s'effectuera en étroite collaboration avec le laboratoire DEN/DANS/DM2S/STMF/LGLS, spécialisé en modélisation probabiliste et statistique et notamment en méthodes bayésiennes pour le calage des modèles physiques. Les résultats obtenus dans le cadre du post doctorat pourront être valorisés dans les plateformes logicielles CIVA, dédiée à la simulation de procédés de CND, et URANIE, dédiée à l'analyse en sensibilité et à la quantification d'incertitudes.

Conception en vue de la fiabilité des composants microélectroniques numériques

Département Architectures Conception et Logiciels Embarqués (LIST-LETI)

Laboratoire Fiabilité et Intégration Capteur

Thèse en conception des circuits microélectroniques

01-03-2018

PsD-DRT-18-0010

valentin.gherman@cea.fr

Les mémoires non-volatiles de type flash sont un élément clé pour le développement des applications haute-température dans l'aérospatial, l'industrie automobile et l'industrie du forage. Malheureusement, le temps de rétention des mémoires flash est fortement dégradé par la haute-température et peut être considérablement diminué même à des températures plus modérées, particulièrement dans le cas où il faut stocker plusieurs bits par cellule. Cet effet peut être estompé à travers un rafraîchissement périodique des données. Le problème est que, en présence des variations de température dues à un changement des conditions environnementales et/ou de charge de travail, une fréquence de rafraîchissement fixe doit être adaptée au pire cas et risque d'entraîner des pertes en termes de performance et endurance. Le premier objectif de ce projet est d'implémenter une méthode de rafraîchissement basée sur l'utilisation d'un compteur permettant de : (a) suivre l'évolution de l'impact de la température sur le temps de rétention des mémoires flash, (b) générer des alertes sur l'imminence d'une perte de données et (c) fournir des timestamps. Le deuxième objectif du projet est de déterminer la loi qui gouverne l'évolution avec le temps des fautes de rétention dans une mémoire flash. Le but est l'implémentation d'une technique capable de déterminer le temps de rétention restant de chaque page mémoire en fonction de l'âge de rétention, i.e. le temps écoulé depuis le stockage des données, et le nombre des erreurs de rétention et non-rétention. Le travail du post-doctorant inclura la publication des résultats scientifiques dans des conférences internationales et journaux de haut niveau.

Résonateurs et filtres à ondes élastiques de plaque agiles en fréquence

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire Composants Radiofréquences

Thèse sur composants acoustiques radiofréquence ou composants MEMS

01-03-2017

PsD-DRT-17-0011

alexandre.reinhardt@cea.fr

L'accroissement du nombre de bandes de fréquences différentes devant être prises en compte pour la téléphonie mobile entraîne une explosion du nombre de filtres passe-bande utilisés dans ces systèmes. Dans cette optique, la possibilité de rendre des résonateurs et des filtres agiles en fréquence se présente comme un élément clef des futurs systèmes de transmission sans fil. Le CEA LETI travaille depuis plusieurs années au développement de résonateurs et de filtres à ondes élastiques, notamment guidées dans des films minces piézoélectriques. En parallèle, il a proposé plusieurs concepts de résonateurs et de filtres agiles en fréquence. Le but de ce post-doc consistera donc à approfondir ces idées et à travailler à la conception de ces composants. En interaction avec les membres de l'équipe projet responsables de la fabrication de ces composants, le candidat étudiera différentes structures permettant d'apporter de l'agilité ou de la reconfigurabilité à ces composants, proposera des solutions innovantes, et caractérisera les composants réalisés en salle blanche. Des démonstrateurs répondant à des applications concrètes seront enfin proposés et réalisés.

Co-optimisation entre technologie et conception de circuit de SRAM et cellules standard sur des nanofils empilés au noeud 5nm

Archive des laboratoires DRT (ne pas utiliser)

Laboratoire Dispositifs Innovants

Thèse de doctorat en microélectronique

01-02-2017

PsD-DRT-17-0013

francois.andrieu@cea.fr

Le post-doc consiste en l'étude du dessin de conception de cellules SRAM et de cellules standards MOS pour la technologie de nanofils empilés au n?ud 5nm intégrant un auto-assemblage de co-polymères à bloc (DSA). Cette étude sera basée sur l'utilisation d'un modèle compact (SPICE) développe au LETI ainsi que sur les expertises du LETI en intégration et procédés nanoélectroniques. Le but est de déterminer le meilleur dessin de conception pour les cellules en termes de performance, puissance consommée et densité.

Optimisation du cascode monolithique de puissance en technologie MOS-ChannelHEMT GaN/Si

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire Composants Electroniques pour l'Energie

electronique, microélectronique, composants et électronique de puissance, composants GaN, physique du semiconduteur

01-02-2017

PsD-DRT-17-0017

erwan.morvan@cea.fr

Afin de répondre au besoin de la conversion d'énergie, notamment pour les applications automobile ou photovoltaïque, la technologie des transistors de puissance GaN/Si s'oriente aujourd'hui vers des composants E-mode avec des performances agressives en termes de tension de seuil (>2V), de courant nominal (100-200A), de tension de claquage (650 et 1200V) et d'immunité au phénomène de « current collapse ». Le cascode discret est assez largement utilisé aujourd'hui pour répondre à ce besoin (Transphorm, On-Semi, NXP, IR?) mais il présente certains problèmes spécifiques (inductances parasites, appairage, composants additionnels, coût, fonctionnement limité en température lié à la puce Si ?). Le cascode monolithique est une version très compacte du cascode qui doit permettre d'éviter ces problèmes mais aussi d'améliorer les performances des transistors E-mode intrinsèques (MOS-C HEMT ) étudiés au Leti. D'autres acteurs du GaN ont d'ailleurs suivi une approche similaire sur une autre technologie E-mode intrinsèque de type p-GaN gate, sans nécessairement l'afficher comme telle. Le Leti a fait récemment la démonstration de ce cascode monolithique dans le cadre d'une thèse 2014-2016 sur la base de sa technlologie MOS-C HEMT, compatible C-MOS en GaN/Si 200mm. Ce post-doc propose d'optimiser ce composant dans la continuité des travaux de thèse. Il doit permettre d'améliorer les performance de ces transistors en terme de Ron, Ron.specifique, pertes de commutation et fréquence de fonctionnement afin de répondre au besoin de nos partenaires industriels.

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