Direction scientifique
Transfert de connaissances vers l'industrie

Programme de stages

Technologies micro et nano >> Technologies micro et nano
52 proposition(s).

Vers la détection ultra-sensible grâce à des résonateurs graphène à transduction optomécanique

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

7818

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Saclay
Laurence LOURS, DRHRS / SCP / BSLDE
Bat 524
91191 Gif-sur-Yvette cedex
e-mail : stages@cea.fr

Le candidat sera entièrement intégré à l’équipe nano-capteurs résonants du LETI. Il devra s’approprier les techniques de mesure de résonateurs optomécaniques, ainsi que les méthodes de transfert et de manipulation de couches de graphène monoatomiques. Le stagiaire réalisera des dispositifs en graphène suspendus au-dessus de cavités micro-usinées. Une part de fabrication en salle blanche sera réalisée, même si elle s’appuiera sur des dispositifs déjà présents dans le laboratoire. Les dispositifs réalisés seront analysés et caractérisés grâce aux moyens de caractérisation optique et électrique du laboratoire. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : thomas.alava@cea.fr

Développement d'une électronique dédiée pour capteurs tactiles complexes à usage robotique

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

7814

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Saclay
Laurence LOURS, DRHRS / SCP / BSLDE
Bat 524
91191 Gif-sur-Yvette cedex
e-mail : stages@cea.fr

Au sein de l’équipe projet basée au département système (DSYS), et à partir des premières démonstrations capteurs faites, le stage propose de réaliser une électronique dédiée et le traitement du signal associé pour une première preuve de concept applicative : la préhension en robotique. Les principales missions consisteront à développer l’électronique proche capteur (filtrage, amplification, …), le pilotage par microcontrôleurs du système, et d’adapter le traitement du signal afin de renvoyer les informations pertinentes à une main robotisée. A ce titre, il conviendra de mener une analyse des systèmes de traitement de capteurs piézoélectriques existants et de concevoir en lien étroit avec le chef de projet et les experts composants du domaine les designs électroniques apportant la meilleure performance aux dispositifs finaux. Le candidat devra en outre assurer la réalisation des cartes électroniques et les premières caractérisation et calibration MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : jean-sebastien.moulet@cea.fr

Optimisation de la hiérarchie mémoire d'une architecture multi/manycoeur hétérogène pour l'intelligence artificielle

DACLE

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Saclay

Ile de France

6 mois

Bac+5 - Master recherche/diplôme ingénieur

7608

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : alexandre.carbon@cea.fr

Dans le cadre de ses activités liées à la conception d’architectures de calcul à haute efficacité énergétique, le laboratoire a développé la plateforme multicoeur hétérogène STELLAR. Cette plateforme est basée sur l’utilisation de cœurs de processeur RISC-V hétérogènes de type BOOM (à haute performance) et Rocket (à haute efficacité énergétique), afin d’implémenter une approche similaire à l’approche ARM big.LITTLE. Ses interfaces génériques et l’utilisation de bus de communication standardisés de type AMBA (AXI4 & AHB/APB) permettent d’intégrer de manière simple des blocs de traitements dédiés comme par exemple des accélérateurs matériels en fonction des applicatifs ciblés. Dans ce contexte, les architectures embarquées font face à de nombreux challenges, mêlant notamment traitements massifs de données et sûreté de fonctionnement. Les applications de type véhicule autonome, intégrant des solutions à base de traitements neuronaux, en sont la parfaite illustration. Afin de relever ces défis, nous proposons dans le cadre de ce stage d’optimiser la hiérarchie mémoire de la plateforme en place. Pour cela, le candidat procédera tout d’abord à une analyse critique d’algorithmes d’intelligence artificielle afin de proposer des optimisations de la hiérarchie mémoire de la plateforme. Ces optimisations pourront aller de la modification de la structure de cache actuelle à l’intégration potentielle d’interfaces mémoires vers l’extérieur, en passant par l’inclusion de nouveaux niveaux de cache ou des mécanismes de gestion dédiés. En se basant sur cette analyse, le candidat déterminera la meilleure stratégie à mettre en œuvre et procédera à son implémentation à l’aide des moyens à disposition dans le laboratoire. Il procédera enfin dans un dernier temps à l’évaluation des performances de la nouvelle hiérarchie proposée. Le candidat recherché est en dernière année de master recherche ou diplôme ingénieur (bac+5). Des connaissances solides en conception d’architecture des processeurs, ainsi qu’en langages C++ et C sont requises. Une connaissance des réseaux de neurones profonds est un avantage. Le candidat idéal pour ce poste est curieux, aime apprendre de nouvelles choses et n’hésite pas à proposer des idées originales pour relever les nouveaux défis.

Développement de méthode de mesures de contraintes locales H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

5 mois

7449

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : christine.morin@cea.fr

L’intégration de certains matériaux dans des structures suspendues nécessite de maîtriser la répartition des contraintes générées lors des étapes de procédé. Nous avons donc développé une méthode de mesure locales consistant à cartographier en haute résolution l’ensemble d’une plaque avant et après une étape de dépôt. Des mesures de déplacements pour de fortes résolutions sont obtenus à l’aide d’un sensor confocal. Elle permettent de calculer des contraintes locales en appliquant un modèle mécanique via le logiciel MATLAB. Il est ainsi possible d’obtenir une cartographie 3D des contraintes engendrées par le dépôt du film. Nous avons appliqué cette technique avec succès sur des couches épitaxiées de SiGe très homogènes (références) et des matériaux piézoélectrique de type nitrure d’aluminium (AlN) utilisés dans des applications RF et MEMS. Les bons résultats obtenus sur des monocouches et à température ambiante, nous encourage à prolonger cette étude suivant 2 perspectives : 1 - Etendre la technique dans le cas d’intégrations de plusieurs couches. 2 - Réaliser des mesures comparatives par profilométrie optique afin d’accéder aux comportements à hautes températures. Vous serez formé et devrez maîtriser à la fois les techniques de mesures expérimentales utilisées pour caractériser les matériaux (microscopie confocale FRT et réflectométrie multipoints kSpace) et les outils d’analyse, de dépouillement et de calcul que nous utiliserons dans le cadre de cette étude. Vous travaillerez également en collaboration avec l’équipe responsable des dépôts afin de limiter la déformation mécanique des couches libérées. L’objectif est de réduire les contraintes localisées (< 50 MPa) et de les rendre le plus uniforme possible sur l’ensemble du wafer. Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mme MORIN à l'adresse suivante : christine.morin@cea.fr

Fiabilité des technologies de mémoires non volatiles émergentes H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

semiconductor physics

7438

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : carlo.cagli@cea.fr

The candidate will test emerging memory devices to: 1. Understand their funcionalities 2. Improve their performances 3. Stress their reliability and estimate their limits He/she will be working in a large test environment with state-of-the-art equipement and edge technologies and will be closely supported to develop test sequences, run the actual tests and interpret the results. No special prerequisite are necessary but hard work and curiosity. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : carlo.cagli@cea.fr

Etude conjointe circuit / substrat pour des applications RF Front-End Module 5G H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

RF

7437

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : emmanuel.augendre@cea.fr

Le travail consistera d’abord à caractériser sous pointe la réponse RF (paramètres S, harmoniques) de guides coplanaires réalisées sur différents matériaux. Des simulations proposées par le candidat exploreront l’influence des paramètres de ces matériaux (résistivité, permittivité, épaisseur) sur les propriétés RF des guides. La synthèse de ces résultats aboutira à la définition de règles de dimensionnement de substrats en fonction des spécifications circuit. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : emmanuel.augendre@cea.fr

Evaluation de technologies mémoires résistives pour les réseaux de neurones artificiels H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

intelligence artificielle / sciences cognitives / informatique / microélectronique

7436

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : marina.reyboz@cea.fr

Le stage se déroulera en trois phases : - Simulation du réseau double de neurones formel surmontant l’oubli catastrophique avec l’outil N2D2. - Etude de la précision nécessaire pour résoudre l’oubli catastrophique. - Impact de la variabilité des mémoires résistives (OxRRAM ou PCRAM) sur cette précision. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : marina.reyboz@cea.fr

Deep learning for large scale molecular dynamics simulation of chalcogenide materials H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

computational physics, machine learning, nanotechnologies

7435

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : benoit.sklenard@cea.fr

The goal of this internship is to set up a Neural Network potential (NNP) based on the Behler-Parrinello method (Phys. Rev. Lett. 98, 146401 (2007)) using large scale MD. The candidate will first have to realize a literature review on neural networks and their application to solid state problems. Then, she/he will implement a NN algorithm using deep learning libraries such as TensorFlow. The NNP will finally be trained with a large database of reference systems obtained from DFT calculations for a binary chalcogenide material. The NNP will be also implemented in the Lammps code (https://lammps.sandia.gov/) to perform MD simulations. A special attention will be given to the validation of the NNP. Required skills: Background in physics and chemistry related fields Programming using C++ and Python Understanding of Linux and parallel computing is desirable Previous experience with machine learning techniques is a plus MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : benoit.sklenard@cea.fr

Electrical Characterization of innovative materials for imaging applications H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

semiconductor physics & devices

7434

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : jean.coignus@cea.fr

The proposed internship consists in the electrical characterization of various absorbing and electrode materials parameters. Depending on material particularities, well-known or new techniques will be considered, together with specific sample preparation. Electrical conductivity, carrier mobility, electronic affinity… will be extracted from electrode materials with different techniques, such as (photo-)conductivity, Hall measurements, and CV characterization. Advanced techniques inherited from solar cell area such as Quasi Steady-State Photoconductance Decay will also be evaluated for carrier lifetime extraction in the absorbing material. The intern student will help proposing a standard characterization scheme for supporting device development, and link stand-alone material parameters with materials integrated in pixel, thanks to complete pixel measurements. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : jean.coignus@cea.fr

Integration of the Mott insulator (V1-xCrx)2O3 for non-volatile Mott memory application H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

micro/nano-électronique, physique des matériaux

7433

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : eric.jalaguier@cea.fr

L’étudiant(e) participera aux efforts d’optimisation des mémoires de Mott à base d’oxyde de vanadium en étudiant les propriétés du matériau jusqu’à la caractérisation électrique approfondie des dispositifs mémoires intégrés en technologie CMOS. Il(elle) contribuera aux caractérisations physicochimiques (XRR, XRD, XPS, MEB, TEM, ..), électriques (résistivité, transport) sur des films minces de V2O3 dopé Cr recuits et encapsulés. Différentes techniques de dépôt seront plus particulièrement étudiées. Une partie de ces études pourra être réalisée sur le site de l’IMN à Nantes. Il(elle) participera également à la caractérisation électrique des dispositifs mémoires Mott intégrés. Il s’agira d’optimiser les paramètres de programmation (pulses, amplitude, temps, fréquence, ..) afin d’optimiser les performances de la mémoire (fenêtre, endurance, rétention) et d’identifier les meilleurs paramètres tant au niveau du matériau (épaisseur, concentration en Cr, ..) que de l’architecture de la cellule mémoire. Les résultats seront aussi interprétés en s’appuyant sur les mécanismes physiques de commutation des isolants de Mott. Ces études pourront être étendues aux matrices de quelques kbits à 1 Mbit. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : eric.jalaguier@cea.fr

Dimensionnement de qubits extensibles pour le calcul quantique en technologie silicium H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

Physique, Electronique Quantique

7431

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : louis.hutin@cea.fr

Le travail attendu consiste en une étude de dimensionnement (dessin et flow de fabrication) pour optimiser les propriétés électrostatiques des dispositifs, et s’articule suivant 3 axes: 1- A l’aide d’un logiciel de TCAD (Technology Computer-Aided Design), optimiser la largeur des espaceurs et les conditions de dopage pour le couplage aux réservoirs de porteurs. Ces données pourront être recoupées par des tests à basse température sur des lots existants. 2- Dans l’optique d’un pavage 2D de boîtes quantiques Si interconnectées pour l’application de codes de correction d’erreur, valider par une étude électrostatique TCAD 3D l’évolution des potentiels de confinement en fonction des signaux des Grilles contrôlant les zones de couplage. 3- En considérant un schéma d’intégration 3D de l’électronique de contrôle, estimer le dimensionnement des résonateurs LC filtrant les lignes pour l’adressage en lecture des boîtes quantiques. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : louis.hutin@cea.fr

Nouvelle génération de sources de temps pour la technologie 5G H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

microsystèmes

7430

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : marc.sansaperna@cea.fr

L’objectif du stage consiste à étudier des alternatives technologiques parmi les résonateurs électromécaniques qui permettent d’atteindre les spécifications pour la technologie 5G. Plus concrètement, le stagiaire réalisera un étude qui permette d’évaluer les différentes technologies disponibles au Leti, et dessiner un dispositif optimisé pour cette application. Pour ça, il réalisera un modèle analytique électromécanique, qui sera validée par simulations d’éléments finis (Comsol). Le stagiaire réalisera aussi des tâches de caractérisation électrique de sources de temps basse fréquence présentes au Service, qui l’aideront à se familiariser avec les particularités de ce type de dispositifs. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : marc.sansaperna@cea.fr

Conception de designs innovants pour ouvrir le champ d'application des mémoires non volatile H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

physique

7429

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : gabriel.molas@cea.fr

1-Exploiter les structures de test existantes, comprenant entre autre : -Les matrices mémoire (1Mb…) incluant des blocs logique permettant de programmer les cellules à très haute vitesse (<1ns) -L’évaluation de différents algorithmes de « program – verify » (arrêt de la programmation lorsque l’état mémoire visé est atteint) 2-Etude bibliographique des solutions existant dans la littérature, afin d’imaginer et de proposer de nouvelles structures pour la réduction de la variabilité : -Programmation en courant vs en tension -Programmation intelligente avec lecture du courant « on the fly » (boucle de rétroaction) : la mémoire détecte son changement d’état L’implémentation de ces nouveaux circuits pourra se poursuivre en thèse MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : gabriel.molas@cea.fr

Le Sélecteur Backend: du développement du matériau jusqu'aux performances du dispositif H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

physique, matériaux

7428

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : guillaume.bourgeois@cea.fr

Le candidat traitera de la physique des matériaux et de la caractérisation électrique. Le candidat rejoindra une équipe d'experts dans divers domaines (matériaux, intégration de dispositifs, caractérisation électrique et physico-chimique, modélisation et conception). Le candidat: - Apprendra les principes de fonctionnement d’un dispositif sélecteur backend; - Contribuera à l’analyse physico-chimique de nouveaux matériaux à base de As et Se; - Sera impliqué dans le développement des protocoles de test nécessaires à l’analyse des performances électriques des dispositifs OTS, et les utilisera pour: •Comprendre les mécanismes de fonctionnement et défaillance; •Comparer différentes matériaux •Evaluer la pertinence de leur co-intégration avec une mémoire à changement de phase (PCM) - Bénéficiera de l’interaction avec des domaines différentes: matériaux, design, caractérisation physico-chimique, intégration, caractérisation électrique Un bon esprit d'équipe pour interagir efficacement avec les membres de l'équipe et un bon niveau de maîtrise de l'anglais seront nécessaires. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : guillaume.bourgeois@cea.fr gabriele.navarro@cea.fr

Etude de la piezorésistivité et des propriétés mécaniques de nano-jauges de silicium H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

physique, matériaux

7427

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : vincent.mandrillon@cea.fr

Une méthode originale de mesure des propriétés mécaniques et piézorésistives des nano-jauges silicium à l’aide d’un nano-indenteur a été mise en place récemment et des tests préliminaires ont été réalisés. Le travail consistera à: •Finaliser l’automatisation des mesures (couplage mesures mécaniques et mesures électriques) •Déterminer précisément les erreurs faites lors des mesures de force (calibration fine du nano-indenteur) •Compléter le plan d’expérience en cours en caractérisant les dispositifs d’étude existants (véhicules de test dédiés) afin d’évaluer l’influence de différents paramètres (section des jauges, longueur, implantation/dopage) •Raffiner les mesure électriques (étude du bruit en 1/f au cours de la traction par exemple) •Identifier les mécanismes principaux de rupture des jauges (Microscopie électronique post mortem) •Interpréter les mesures à l’aide des modèles existants et améliorer ceux-ci. Le candidat au profil pluridisciplinaire devra posséder de bonnes connaissances en physique du solide, mécanique des matériaux, et mesures électriques avec un gout prononcé pour l’instrumentation et  la mesure. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : antoine.nowosdzinski@cea.fr vincent.mandrillon@cea.fr

Développement de transducteurs ultrasonores pour applications innovantes H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

nanotechnologies, physique appliquée

7426

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : bruno.fain@cea.fr

Le stagiaire rejoindra le laboratoire des capteurs microsystèmes pour approfondir les connaissances sur les capteurs MUTs et évaluer la pertinence de nouveaux concepts pour des applications innovantes. Il réalisera des caractérisations électriques (mesure de fonction de transfert par impédancemétrie, mesure du déplacement par vibrométrie laser) et/ou acoustiques (mesure du champ de pression rayonné, sensibilité). Il développera des modèles analytiques et des simulations numériques pour interpréter les résultats, en lien avec les équipes en charge de la fabrication des dispositifs. Le stagiaire sera ainsi amené à se forger une compréhension du fonctionnement des composants et sera à même de faire des propositions pour la conception de nouveaux MUTs, ce qui pourra faire l'objet d'une thèse à l’issue du stage. On attend du candidat de solides bases en mécanique du solide, de bonnes notions en tests électriques et une forte culture expérimentale. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : bruno.fain@cea.fr

Résonateurs optomécaniques en silicium pour la reconnaissance de brins d'ADN H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

nanotechnologies, physique appliquée, biotechnologies

7425

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : thomas.alava@cea.fr

Le candidat sera entièrement intégré à l’équipe nanocapteurs résonants du LETI. Il devra s’approprier les techniques de mesure de résonateurs optomécaniques, ainsi que les méthodes de fonctionnalisation de surface pour la reconnaissance d’espèces biologiques. Il devra les adapter pour évaluer les différentes possibilités offertes pour la reconnaissance de brins d’ADN à la surface de ces résonateurs. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : thomas.alava@cea.fr

Algorithme d'optimisation du placement des transistors nanofils stackés ds portes logiques H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

micro-électronique, informatique

7423

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : olivier.billoint@cea.fr

Ce stage a pour but d’étudier l’impact de l’utilisation de nanofils stackés 3D sur les méthodes actuelles de conception de circuit intégrés numériques et en particulier sur les portes logiques. Nous proposons de développer un algorithme pour optimiser le placement des nanofils dans les cellules standards en réduisant au maximum l’utilisation du routage métal. La première partie du stage consistera à prendre en main l’environnement de conception, les informations technologiques et établir un cahier des charges de description des portes logiques. La deuxième partie du stage verra le codage proprement dit de l’algorithme dans un langage à définir en vue de son intégration dans le flot de conception du laboratoire. Enfin, la troisième et dernière étape consistera à intégrer dans le flot existant les outils développés dans ce stage et à les évaluer sur un ensemble représentatif de portes logiques pour pouvoir évaluer les gains potentiels en routage dans le cadre du design d’un circuit numérique de référence. Une connaissance des outils Cadence (Virtuoso schematic et layout, si possible Skill) est souhaitée. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : olivier.billoint@cea.fr

Transfert de film mince de silicium sur cavités micrométriques : Impact du collage moléculaire H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

7422

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : thierry.salvetat@cea.fr

L’objectif du stage est de réaliser différents essais de collage de substrats en s'appuyant sur les moyens technologiques de notre plateforme silicium 200/300mm. Il s’agira en particulier de réaliser des études expérimentales pour tester différents collages, allant du choix des substrats, des matériaux constituant l’interface de collage et les différentes préparations de surface dans le but de transférer un film mince sur des cavités. Ces réalisations feront l'objet d'un suivi de fabrication en salle blanche et de caractérisations avancées que ce soit in-line ou off-line. Les résultats de l’étude permettront de fiabiliser et développer les procédés de transfert de film mince sur des cavités. Un approfondissement ultérieur de ces travaux pourra également être envisagé dans le cadre d'une thèse. Le stage se déroulera selon les étapes suivantes : -Etat de l’art. -Fabrication de plans d’expériences et suivi de fabrication. -Caractérisations (microscopies optique et I.R, interférométrie, AFM, etc…). -Exploitation des résultats -Rédaction d’un rapport technique MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : thierry.salvetat@cea.fr guillaume.berre@cea.fr

Etude du transfert de films minces H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

7421

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : lucie.levan-jodin@cea.fr

Dans un premier temps, le candidat va s’appliquer à développer la couche contrainte dans le but d’adresser de nouveaux matériaux avec cette technique. Cette couche est déposée par électro-dépôt et le candidat étudiera ce procédé afin d’obtenir des contraintes plus importantes. Dans la deuxième partie, le candidat appliquera les couches contraintes développées sur des matériaux tels que le germanium, les matériaux 2D, le GaN… Il travaillera aussi sur le report du film détaché. Le travail est essentiellement expérimental et sera effectué en grande partie en salle blanche. Nous recherchons un candidat ayant de bonnes connaissances en matériaux. Des compétences en mécaniques ou en électrochimie seraient un plus. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : lucie.levan-jodin@cea.fr

Etude physique et expérimentale de l'empilement de grille pour les transistors AlGaN/GaN H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

7420

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : romain.gwoziecki@cea.fr

En se basant sur les travaux précédents, le stage s’articulera autour des points suivants: · Caractérisation électrique des transistors et capa MIS GaN existants afin de déterminer les défauts d’interface · En se basant sur les analyses physico-chimique et électrique, choix des meilleures options technologiques pour la réalisation d’un empilement de grille répondant aux enjeux visés · Forte interaction avec les équipes de caractérisation électrique et physique (plateforme nano-caractérisation), et les équipes techniques en charge de la fabrication des composants · Présentations en anglais régulières devant l’industriel partenaire MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : laura.vauche@cea.fr, romain.gwoziecki@cea.fr

Etude expérimentale et modélisation des limites dimensionnelles de composants puissance AlGaN/GaN H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

7419

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : julien.buckley@cea.fr

L’étude s’appuiera sur des mesures électriques de composants de tailles variables avec des plaques de champs de plusieurs dimensions. Elle sera couplée à des simulations TCAD avec l’outil Synopsys afin de supporter l’interprétation des mesures, en dériver les limites dimensionnelles ultimes et proposer de nouvelles structures. Le stage s’articulera autour des points suivants : analyse des caractérisations électriques en blocage de composants GaN à géométrie variable (actuellement en cours de fabrication), simulation par éléments finis (TCAD, avec outils Synopsys) des structures mesurées, proposition et étude en simulation de nouvelles structures permettant de dépasser les performances desstructures caractérisées. Moyens mis en œuvre : Caractérisation électrique des composants, Outils de modélisation éléments finis (TCAD Synopsys). Liens : http://www.cea.fr/cea-tech/leti/Documents/plaquettes/Brochure%20GaN_num.pdf http://investors.st.com/news-releases/news-release-details/stmicroelectronics-and-leti-develop-gan-silicon-technology-power MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : julien.buckley@cea.fr

Micro-miroir dans le LIDAR pour la voiture autonome H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

Physique

7418

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : laurent.mollard@cea.fr

L’objectif de ce stage sera la modélisation d’un micro-miroir 2D ou 1D, capable de scanner l’espace suivant deux directions perpendiculaires pour une application LIDAR compact. Il sera organisé autour de 3 phases. Phase 1: Familiarisation avec l’état de l’art sur les micro-miroirs dédiés aux axes lents et rapides des scanners, afin de bien comprendre les spécifications et faiblaisses liées à l’application. Puis investigation du principe d’actionnement piézoélectrique, avec des matériaux ferroélectrique (PZT) et non-ferroélectrique (AlN).  Phase 2: Modélisation par éléments finis sous COMSOL de nouvelles architectures de micro-miroirs 1D et 2D, à la fois pour l’axe rapide et pour l’axe lent. Dans ce cadre, des designs dits à amplification mécanique seront étudiés, afin d’augmenter les performances des dispositifs actuels ceci par un design adapté.  Phase 3: Etude de l’incorporation de sondes piézorésistives permettant le suivi, en temps réel, du micro-miroir lors de l’actionnement. Enfin modélisation des effets thermiques liés à la source laser IR. Pour l’ensemble de ces travaux, le candidat s’appuiera sur l’expertise MEMS développée depuis 25 au LETI. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : laurent.mollard@cea.fr

Dalle haptique piézoélectrique transparente H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

Physique

7416

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : fabrice.casset@cea.fr

L’objectif du stage sera de démontrer le potentiel d’un actionneur transparent appliqué à un interface haptique permettant de générer pour l’utilisateur différents type de ressentis: texture modifiable et/ou effet de click Pour cela, le stagiaire effectuera les tâches suivantes: -L’étude bibliographique des différentes technologies d’actionneurs transparents et différents effets haptiques accessibles. -Modélisation et dimensionnement électromécanique de la dalle avec des actionneurs pouvant être déployés sur toute sa surface, réflexion sur des effets haptiques innovants -Suivi de la fabrication de dalles haptiques avec actionneurs transparents -Suivant la temps de cycle de fabrication, le stagiaire participera à la caractérisation électromécanique de la dalle -Pour l’ensemble de ces travaux, le candidat s’appuiera sur l’expertise MEMS développée depuis 25 au LETI MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : fabrice.casset@cea.fr

Capteur optique innovant haute intégration, utilisant le concept de transfert H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

Physique

7415

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : gabriel.pares@cea.fr

Phase 1: état de l’art des solutions disponibles pour le collage temporaire et le report directe de couche minces sur substrat organique (rigide ou souple). Choix de la solution et mise au point du procédé de transfert de couche mince à l’échelle du composant Phase 2: réalisation d’un composant assemblé ultra-mince (quelques microns) sur un substrat organique qui peut être flexible et permettant de valider l’approche amincissement extrême et report directe. . Phase 3 : Étude des contraintes liées aux fonctionnalités optiques des dispositifs étudiés, recherche de solutions de mise en œuvre au niveau substrat (nano-imprint, nano-embossing). Etude des solutions de connectique avec soit une approche traditionnelle de type « wire bonding », soit une approche plus originale de type impression 3D ou sérigraphie. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : gabriel.pares@cea.fr

Etude de l'Ag fritté pour les modules de puissance hyper intégrés en 3D. H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

Physique

7414

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : arnaud.garnier@cea.fr

Phase 1: bibliographie sur l’Ag fritté, structure des  modules de puissances, substrats, formation sur équipement de sérigraphie DEK et moyens de caractérisation (morphologie - optique, coupes technologiques, propriétés électriques, mécaniques et thermique) Phase 2: plan d’expérience sur plusieurs types de substrats (plaques silicium, structures mixtes Si-polymère, substrats organiques, substrats métalliques). Caractérisations et évolutions des procédés. Phase 3 : synthèse technique des capabilités de l’Ag fritté pour les modules de puissances 3D, et élaboration de règles de mise en œuvre, fenêtre de procédés selon la nature et la structure des substrats. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : arnaud.garnier@cea.fr

Intégration hétérogène d'un actionneur piezo s/ Si avec diaphragme ds but de réaliser un hautparleur H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

Physique

7413

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : thierry.hilt@cea.fr

Le ou la stagiaire aura la charge, après s’être imprégné(e) de la thématique des micro-hautparleurs en réalisant une recherche bibliographique, d’évaluer la faisabilité de l’intégration d’un micro-actionneur piézoélectrique avec un diaphragme permettant l’émission acoustique. Le stagiaire aura au préalable participé à la spécification et l’approvisionnement du diaphragme acoustique. En parallèle, une modélisation électromécanique de l’actionneur  piézoélectrique optimisé couplé au diaphragme sera réalisée afin de déterminer par un couplage avec un modèle acoustique simplifié les performances du futur haut-parleur. Ces modélisations seront comparée à des premiers tests de caractérisation acoustiques sur lesquels le ou la stagiaire sera également impliqué. Enfin, à partir de l’ensemble des ses travaux le ou la stagiaire devra proposer des préconisations concernant le dimensionnement du moteur piézo-électrique  permettant d’atteindre des performances intéressantes pour le marché grand public. Pour l’ensemble de ces travaux, le candidat s’appuiera sur l’expertise MEMS développée depuis 25 au LETI MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : thierry.hilt@cea.fr

Conception de filtres innovants pour la 5G H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

7412

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : denis.mercier@cea.fr

L’objectif du stage consiste à concevoir des filtres innovants à base de résonateurs acoustiques. Le stagiaire sera impliqué dans les projets du CEA-LETI faisant intervenir des entreprises de premier plan de l’industrie microélectronique. Il sera intégré à une équipe projet et son travail sera encadré par les ingénieurs du LCRF. Le travail du stagiaire consistera dans un premier temps à se familiariser avec les techniques de synthèse de filtres et les technologies mises en place au CEA-Leti. Il devra ensuite concevoir des filtres en simulant leur réponse électromagnétique et dessiner les masques qui serviront à la fabrication. Le stagiaire sera également amener à réaliser la caractérisation RF des filtres fabriqués. Pour réaliser ces travaux, le stagiaire pourra s’appuyer sur les outils de CAO disponibles au laboratoire tels qu’ADS, HFSS, Matlab,… MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : denis.mercier@cea.fr

Simulation et Caractérisation du transport électronique dans les transistors de puissance AlGaN/GaN

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

7411

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : marie-anne.jaud@cea.fr

1-Caractérisation électrique:  - Appréhension des défis propres à l’acquisition des mesures de mobilité électronique des dispositifs    GaN à hétérojonctions (identification des défis et solutions) - Applications : mesures en température de mobilité faible champ de transistors MIS-HEMT (mobilité dans les accès et sous la grille). Mesures de saturation à partir de structures dédiées présentes sur le masque GANG. 2- Modélisation par éléments finis: Appropriation de l’outil TCAD Synopsys et mise à jour des modèles de mobilité (les différents mécanismes d’interaction définissant la mobilité sont couplés par une loi de Mathiessen) en accord avec les mesures expérimentales - Proposition d’un modèle de saturation MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : marie-anne.jaud@cea.fr

Caractérisation et optimisation radio-fréquence des dispositifs en technologie fdsoi 3D H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

7410

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : jose.lugo@cea.fr

L'intégration séquentielle 3D (3DSI) est une alternative au scaling traditionnel 2D. Elle permet d'incrémenter la densité, efficacité et performance des puces numériques sans diminuer la taille du transistor. De nouvelles configurations de type analog-digital et analog-analog en 3DSI sont développées au Leti via les projets 3DSL prgA et 3D-MUSE. L'approche est également étudiée par l'IMEC et IBM Zurick. L'intégration des fonctions en mm-waves (f supérieur à 30 GHz) au plus proche du digital grâce à la 3DSI est un domaine avec un fort potentiel. L’objectif du stage est d’étudier le potentiel de la technologie coolcube du Leti pour des applications en mm-waves. Le stage comportera différentes étapes: -Etat de l’art de 3D séquentiel et non-séquentiel pour la RF -Analyse des premières mesures RF réalisées en 2018 -Caractérisation RF & mm-waves du masque de Déc-2018 -Modélisation du comportement de la technologie coolcube en haute fréquence (> 150 GHz) -Proposition des dispositifs à intégrer lors du prochain masque (mi-2019) pour optimiser la caractérisation de la technologie coolcube en RF MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A :  jose.lugo@cea.fr

Co-intégration 3D de dispositifs mémoire et logique pour des applications In-Memory-Computing H/F

DCOS

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

7409

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : francois.andrieu@cea.fr

Le stagiaire commencera par une étude bibliographique des dispositifs mémoires résistives non-volatiles et du calcul dans ces matrices mémoire. Il dimensionnera les transistors de sélection intégrées dans le cube mémoire pour permettre les écriture/effacement/lecture aux tensions d’alimentation visées. Il identifiera les différentes opérations élémentaires (NOR, OR, NAND, AND, TCAM, copy, move….) possible par la topologie du cube mémoire. Pour tout cela, il s’appuiera sur des outils SPICE et TCAD (calibrés sur des mesures expérimentales réalisées sur des mémoires résistives du LETI) pour identifier les signaux (chronogrammes) a appliquer et le nombre de cycles nécessaires a chaque opération. Il en déduira des contraintes technologiques en termes de topologie et connectiques du cube mémoire et de performance des transistors et mémoires, ainsi que les contraintes en termes de programmation (polarisations a appliquer pour ne pas détruire les inputs ou sur-écrire les outputs). Le but ultime de ce travail serait d’identifier au premier ordre les performances liées a chaque opération de calcul élémentaires (temps et énergie). Ces performances seront à terme comparées aux performances de ces mêmes opérations réalisées dans un système Von-Neumann classique. Le stagiaire sera intégré dans une équipe multidisciplinaire avec des expertises en physique des composants CMOS et mémoire, modélisation/simulation, caractérisation électrique et conception de circuit mémoire. MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A : francois.andrieu@cea.fr

Nouvelle solution de dépot de Cobalt pour la spintonique 3D évolutifs H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2

7249

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : rachid.hida@cea.fr

Les matériaux utilisés dans la spintronique sont principalement à base de Co, Fe et Ni. Une forte anisotropie magnétique doit être induite pour créer l'orientation privilégiée dans certaines couches magnétiques fonctionnelles. L’utilisation actuelle de structures complexes impliquant des métaux nobles (en particulier Pt, couteux) est un verrou important à une diffusion large de technologie comme les mémoires STTRAM ou les capteurs magnétiques. La réalisation de structures damascènes 3D à forte anisotropie de forme en matériau magnétique par des techniques de la microélectronique comme le dépôt électrolytique (ECD) ou la pulvérisation cathodique (PVD) permettrait donc une rupture technologique importante pour des électrodes magnétiques à champ perpendiculaires. Dans le cadre de ce stage, l’étude de croissance de dépôt de Cobalt par électrolyse (ECD) en via à fort facteur de forme sera étudiée sur un des équipements de dépôt ECD en collaboration avec un fournisseur de chimie. On visera l’introduction de méthodes de croissance optimisées pour l’obtention de structures conductrices à base de cobalt ayant les résistivités les plus basses possibles tout en apportant des avantages supplémentaires (conformité du dépôt en corrélation avec les aspect ratio des cavités, présence de void ou non,  type  de sous couches, propriétés magnétiques des films). Pour postuler à cette offre, merci de contacter M.HIDA à l'adresse suivante : rachid.hida@cea.fr

Elaboration de matériaux pour la microélectrique : utilisation de multicouches H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

Procédés, matériaux, physico-chimie

7244

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : pierre.montmeat@cea.fr

Depuis une trentaine d’années, la microélectronique fait appel aux matériaux de type polymère organique pour de nombreuses applications : la photolithographie, le packaging, la micro fluidique ou bien le collage. Dans cette dernière application, les polymères organiques sont des matériaux de choix car ils peuvent être mis en forme très facilement, ce qui permet d'obtenir des films dans une large gamme d'épaisseur (De 10 nm à 100 µm). Par ailleurs, ils résistent à des températures compatibles avec certains procédés d’élaboration des transistors. Et leur bonne propriété d’isolation électrique est souvent avantageuse. Dans ce contexte, on étudiera la réalisation de multicouches polymère/silicium pour l’élaborations de substrats innovants pour la micro électronique.  Le stage proposé au CEA-LETI de Grenoble va consister à tester différents polymères de façon à réaliser des empilements polymère/silicium. Les polymères testés seront des matériaux organiques déjà disponibles au LETI ou de nouveaux polymères développés au travers de partenariats industriels. Les travaux seront réalisés sur des machines industrielles dans le cadre de la salle blanche du LETI avec des plaquettes de silicium de 200 ou 300 mm. Une tâche importante consistera également à caractériser les polymères (ATG, viscosité, FTIR, ellipsométrie, stabilité des films…) d’une part et les mutlicouches d'autre part : morphologie, imagerie MEB, IR ou échographie. On évaluera également les propriétés d’adhérence des différents polymères avec le silicium. Pour postuler à cette offre, merci de contacter M. MONTMEAT à l'adresse suivante : pierre.montmeat@cea.fr

Analyse d'une chaine de fabrication de composants microélectroniques H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2, 3è année d'école d'ingénieur en physico-chimie des matériaux

7239

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : herve.fontaine@cea.fr

La propreté des plaques Silicium utilisées dans l'industrie microélectronique est obligatoire tout au long de la chaine de fabrication pour obtenir un haut rendement de fabrication. Une contamination par des impuretés métalliques peut avoir des effets néfastes sur les procédés mis en œuvre (modification de croissance de couche, propriétés électriques…) et sur les performances finales du dispositif. Aujourd’hui, des niveaux de contamination toujours plus faibles sont requis pour les technologies les plus avancées et la contamination apportée sur la tranche et le bord de plaque devient une préoccupation grandissante avec l’utilisation de robots de manipulation des plaques utilisant cette zone.  Aussi, la méconnaissance des concentrations réelles de contaminants, de leur dissémination le long d’une chaine de production ou encore de leur évolution physico-chimique au cours des process constitue une problématique industrielle forte. Au sein des salles blanches de la plateforme R&D des technologies silicium du LETI, le travail demandé aura pour objet d’établir les niveaux de contamination apportés aux substrats Si tout au long de la fabrication d’un produit par les équipements de process (Traitement thermique, CMP, collage, gravure sèche ou humide, photolithographie, nettoyage humide…), par les systèmes automatisés de manipulation et les boites de transfert/transport de plaques. Le transfert des contaminants à la plaque et la dissémination le long de la ligne de procédés seront étudiés comme par exemple dans le cas du transfert entre les containers et le bord de plaques. Les techniques ultra sensibles que sont la TXRF (Total reflection X-ray Fluorescence) et la VPD-ICPMS (Vapor Phase Decomposition – Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry) seront utilisées pour ces mesures. L’analyse de ces données sera réalisée au regard des spécifications de propreté recommandées industriellement. Enfin, l’étude de l’évolution et de l’impact de contaminants critiques identifiés sera menée. Pour cela, des contaminations intentionnelles contrôlées en métaux seront mises en œuvre pour étudier leur comportement lors de process chauds (diffusion en volume, ségrégation aux interfaces…) et/ou pour évaluer la défectivité induite sur un produit sensible et déterminer la relation dose-effet.  Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mr FONTAINE à l'adresse suivante : herve.fontaine@cea.fr

Adhérence parfaite de surfaces sans apport de matière H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2, école d'ingénieur

7231

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : vincent.larrey@cea.fr

Le collage sans colle, c’est magique et cela s’appelle le collage direct. Notre laboratoire a une expertise à l’état de l’art mondial dans ce domaine, de sorte que nous parvenons à mettre de la science pour expliquer la magie. Comme dans tout tour de magie, on a nos petites astuces, notamment la parfaite maîtrise de la qualité des surfaces avant collage. Nous proposons dans ce stage d’optimiser des traitements de surface par plasma afin de rendre nos collages plus robustes. L’objectif est d’identifier et comprendre les paramètres physiques pertinents pour proposer de nouveaux procédés afin de répondre aux besoins d’industrialisation de nos partenaires (applications : substrat, intégration 3D, photonique sur Silicium, santé et fluidique…) -Construction d’un plan de manipe pour évaluation des paramètres de plasma sur l’énergie d’adhérence et la contamination particulaire : gaz, puissances, ratio de puissances, durées, séquences -Prise en charge des équipement, réalisation des préparations de surface par plasma, des collages et de leur caractérisation : contamination particulaire, énergie d’adhérence et défectivité par mesure acoustique. -Mise en évidence et évaluation des paramètres influents -Détermination de nouvelles recettes -Impact sur la réalisation de SOI par Smart Cut® Pour postuler à cette offre, merci de contacter M. LARREY à l'adresse suivante : vincent.larrey@cea.fr

Assemblage de puce électronique en 3D vers une précision nanométrique H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

3 mois

DUT Mesures Physiques

7230

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : gaelle.mauguen@cea.fr

La microélectronique évolue vers des assemblages électrique toujours plus petits tout en étant de plus en plus performants. L’empilement de puces peut répondre à cette demande. Afin de réaliser cet empilement, on assemble directement 2 plaques de 300 mm couvertes de puces qui seront connectées entre elles via des plots métalliques. Le LETI travaille actuellement sur la diminution de ces plots, ce qui demande des précisions d’alignement nanométriques. Notre objectif est de descendre l’alignement entre deux puces en dessous des 100 nm. Pour réaliser cela le département a un équipement de collage et de mesure Infra rouge ultra précis. Notre objectif ne pourra être atteint qu’en passant par des mesures fiables ce qui nous permettra alors de comprendre les interactions entre propagation d’onde de collage et précision. Le stage va se dérouler en 3 parties : - Précision de la mesure : Lors de la mesure des marques, il est possible de modifier certains paramètres tel que le contraste, l’autofocus, le temps d’exposition. Nous voudrions connaitre leur impact sur le résultat final de la mesure. - Utilisation par la machine des résultats de mesures : Après la mesure d’alignement, ces informations sont utilisées pour améliorer le collage suivant. Cette option a permis d’obtenir de bons résultats en mode manuel. Il faut maintenant la régler pour que cela puisse fonctionner en automatique. - Paramètres de collages : Le collage est réalisé en mettant les plaques en pression. Il existe différentes zones de pressions. Chacune d’elle va influencer la propagation des ondes de collage. L’étude se finira par l’impact de la pression sur l’alignement des plaques. Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mme. MAUGUEN à l'adresse suivante : gaelle.mauguen@cea.fr

Impact de recuits lasers nanosecondes sur des couches épitaxiales de GeSn H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2 - Physique des matériaux, Ingénieur

7229

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : pablo.acostaalba@cea.fr

Les progrès faits depuis 2010 dans le domaine de la croissance épitaxiale d’empilements GeSn/SiGeSn ouvrent des nouvelles possibilités d’utilisation du GeSn. Le GeSn est un semiconducteur à faible énergie de bande interdite pouvant être directe dans certaines conditions. Il peut être utilisé comme matériau actif dans des lasers ou des photo-détecteurs fonctionnant dans le moyen infrarouge, le canal de conduction de transistors PMOS, etc. Le CEA LETI s’est équipé dès 2015 des capacités de déposer de tels empilements sur substrats de 200mm de diamètre. Il est pionnier dans plusieurs de ces domaines applicatifs. Dans le but de permettre le dopage des couches GeSn, nous voulons évaluer l’impact de recuits thermiques innovants sur l’activation de dopants implantés ou déposés. Le stage se déroulera de la manière suivante : -Après une recherche bibliographique approfondie sur le sujet, vous serez formé à l’utilisation d’équipements de caractérisation structurales de salle blanche comme la diffraction de rayons X, la microscopie à force atomique, la microscopie électronique à balayage, la diffusion de lumière etc. -Par la suite, vous évaluerez l’impact des différents paramètres procédés du recuit laser nanoseconde sur les propriétés structurales d’empilements GeSn/SiGeSn. Les connaissances ainsi obtenues seront précieuses pour de futures intégrations dans des dispositifs innovants. -Une prolongation en thèse est envisagée afin d’approfondir/d’étendre l’étude. Pour postuler à cette offre, merci de contacter M. ACOSTA ALBA à l'adresse suivante : pablo.acostaalba@cea.fr

Fabrication et caractérisation de diélectriques polymères à haut champ de claquage H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2

7221

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : paul.haumesser@cea.fr

L’électronique de puissance requiert la fabrication de composants de plus en plus petits capables de soutenir de forts courants et tensions de travail.  En particulier la réalisation de capacités minces nécessite le développement de nouveaux matériaux diélectriques à fort champ de claquage. L’objectif de ce stage est d’élaborer par électrophorèse et de caractériser des films minces de polyethylimide (PEI), de quelques micromètres d’épaisseur, mais capables de résister à des tensions de plusieurs centaines de volts. Pour cela, il faudra : - approvisionner les solutions de dépôt, soit en les fabriquant à partir de PEI, soit en démarchant des fournisseurs capables de produire le produit ou ses précurseurs en solution dans la qualité ad-hoc -réaliser le dépôt par électrophorèse -traiter chimiquement et/ou thermiquement la couche pour obtenir le polymère -caractériser la couche formée (épaisseur, indice optique, champ de claquage) pour optimiser les performances du matériau final Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mr. HAUMESSER à l'adresse suivant : paul.haumesser@cea.fr

Développement de procédé de gravure sèche des résines fluorées pour un résultat sans défaut H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

5 à 6 mois

M2

7220

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : hubert.teyssedre@cea.fr

Les nanotechnologies sont aujourd’hui au cœur d’une multitude d’objets pour répondre aussi bien aux besoins de performances qu’aux envies de confort. Elles font partie intégrante de notre quotidien qui soulève en permanence de nouveaux challenges pour ce domaine scientifique : matériaux, procédés de fabrication, conception des systèmes, l’innovation ne s’essouffle pas. Jumelés à cette spirale technologique, les coûts de développement ne permettent pas à certains marchés de profiter des avantages des ces technologies. C’est dans l’optique de réduire ces coûts que des méthodes alternatives, comme la nanoimpression mise en exergue par Stefen Chou en 1995, ont été développées. Ce procédé, qui consiste à répliquer les nanostructures (jusque 2 nm) d’un master par pressage mécanique dans un film de polymère (cf. figure), présente des avantages (cadence, résolution, coûts) et des limitations comme la défectivité, fortement impactée lors de la séparation entre le moule et la résine : le contact physique et la réticulation des matériaux peuvent générer des seuils d’adhérence supérieurs aux contraintes de cohésion de la résine à imprimer et arracher les motifs. Une solution pour la nanoimpression est l’introduction de surfactants dans les résines, telles que des molécules fluorées pour réduire les énergies d’interfaces. Néanmoins cette astuce impacte drastiquement les procédés d’intégration, comme la résistance à la gravure (d’un facteur 3 à 10) pour le transfert des motifs dans le substrat. Vous aurez pour mission principale de développer des recettes de gravure pour successivement retirer l’épaisseur résiduelle de résine sous les motifs, puis transférer les motifs dans le substrat de silicium, d’oxyde ou de nitrure de silicium. Vous devrez qualifier les vitesses de gravure, les variations de dimensions critiques et estimer les marges d’optimisation des procédés. Afin de réaliser ses expériences, vous devrez préparer les impressions des résines fluorées (produits commerciaux)  à l’aide de moules sélectionnés par l’équipe encadrante. Vous devrez caractériser les budgets de résines pour la gravure. Vous serez autonome et aucun travail de développement de procédé n’est demandé pour cette tâche. Afin de mener à bien son stage, vous aurez un accès libre aux différents équipements lui permettant de mener à bien sa mission (équipements automatiques de nanoimpression, de gravure, d’observation et de métrologie, et équipements pour la caractérisation d’échantillon). Le projet prévoit un accès à des caractérisations plus spécifiques comme l’XPS et FTIR qui seront traités par la plateforme de nanocaractérisation. Vous devrez à la fin du stage rendre un rapport synthétisant les résultats, démarches et observations permettant aux encadrants de valider les procédés sur les véhicules tests. Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mr. TEYSSEDRE à l'adresse suivant : hubert.teyssedre@cea.fr

Développement de la technologie de lithographie électronique à faisceaux multiples H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

5 à 6 mois

Bac +4/5 (M2 ou ingénieur)

7218

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : isabelle.servin@cea.fr

Le CEA-LETI est engagé dans le développement et l'intégration des nouvelles technologies pour l'industrie semi-conducteur. A ce titre, il travaille sur le développement de la lithographie sans masque, destinée à la fabrication de circuits intégrés, en partenariat avec un équipementier (Mapper Lithography) sur une solution de lithographie électronique à multiples faisceaux permettant d'atteindre une vitesse d'écriture compatible avec l’industrie de la microélectronique, contrairement aux outils d’écriture directs actuels trop lents. Cette technologie pourrait répondre aux besoins croissants dans le domaine de la sécurisation de données, de la traçabilité et de la prévention de la contrefaçon avec une production bas coût de puces uniques identifiées. Contrairement à la lithographie optique conventionnelle (avec masque), cette technologie a la faculté de sécuriser les puces avec un code individuel  gravé sur un niveau de connexion métallique intermédiaire pendant le processus de fabrication. Le code de chaque puce reste accessible mais ne peut être modifié. Pour cela, il est nécessaire d’évaluer les performances des procédés et notamment de valider la complète compatibilité avec un flow de production existant où la fonctionnalité commune des puces est réalisée de manière conventionnelle tandis que des zones dédiés sont écrites par écriture directe électronique pour garantir le caractère unique de chaque puce. Le stage consiste à développer une étape de lithographie par écriture directe multi-faisceaux sur l’outil d'exposition FLX-1200 développé par la société MAPPER Lithography pour répondre aux demandes de démos clients tout en étant compatible avec les contraintes de plaques d'interconnexion métalliques de type CMOS. Les performances lithographiques et de gravure doivent répondre aux spécifications en terme de contrôle dimensionnel, d’uniformité sur la plaque et de fidélité des motifs sur une technologie CMOS mature. Les contraintes d’alignement sur un niveau précédent réalisé sur un système optique conventionnel seront aussi étudiées. L'utilisation des outils de métrologie avancée permettra de valider l’intégration à chaque étape clé du process. Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mme SERVIN à l'adresse suivante : isabelle.servin@cea.fr

Etude des propriétés mécaniques des moules souples pour la nanoimpression H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2, 3è année école d'ingénieur

7209

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : nicolas.chevalier@cea.fr

Les moules souples utilisées en lithographie par nano impression peuvent réduire l'impact des particules sur la défectivité. Néanmoins, le moule doit être suffisamment rigide pour assurer un écoulement de la résine lors de la création du pattern. Si le moule est trop souple, celui-ci peut flamber sous la contrainte induit par l'impression au contact et induire ainsi une mauvaise réplication du pattern. Pour optimiser le procédé, il faut donc déterminer les dimensions qui peuvent être répliquées dans la résine pour un moule donné. Actuellement, cette détermination est empirique quand les propriétés mécaniques du moule sont inconnues. Pour les déterminer, la microcopie à force atomique est un outil de choix de par sa sensibilité et sa résolution spatiale. Travail demandé : - Fabriquer les moules en salle blanche dans le cadre d'un partenariat industriel. - Caractériser les moules ainsi obtenus par AFM via des mesures mécaniques à l'échelle locale - Définir un protocole complet de test : méthodologie, exploitation des données.. Pour postuler à cette offre, merci de contacter M. CHEVALIER à l'adresse suivante : nicolas.chevalier@cea.fr

Mesure de composition par imagerie à resolution atomique H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2, ingénieur

7208

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : nicolas.bernier@cea.fr

L'objectif du stage est la mesure précise de composition de différents systèmes à partir d'images à résolution atomique acquises sur les microscopes électroniques en transmission (TEM) du CEA Grenoble. Pour les systèmes cristallins sensibles aux dégâts d'irradiation sous faisceau d'électrons (matériaux nanostructurés à changement de phase, matériaux III-V avec indium, alliages GalSb pour détecteurs infrarouges..), il est nécessaire de quantifier chimiquement le matériau à l'échelle atomique tout en minimisant la dose électronique. L'imagerie haute-résolution, plus précisément en champ sombre annulaire à grand angle (HAADF), permet de répondre à ce besoin. L'objectif de ce stage est de développer les outils expérimentaux et de simulation permettant de relier quantitativement le contraste de ces images à la composition chimique du matériau. Sur la PFNC, deux TEM - Titan Ultimate et Thémis - sont équipés de correcteur d'aberrations permettant d'acquérir des images HAADF à l'état de l'art en terme de résolution atomique. Dans le cadre du stage, les lames minces seront préparées par polissage mécanique ou par pulvérisation ionique. Les expériences aux microscopes seront réalisées avec les encadrants, une formation au microscope sera également dispensée. Vous pourrez également vous appuyer sur les doctorants de l'équipe pour exploiter les outils informatiques de traitement des données. Pour postuler à cette offre, merci de contacter M. BERNIER à l'adresse suivante : nicolas.bernier@cea.fr

Lithographie avancée par auto-assemblage de copolymères à bloc H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2 ou ingénieur

7205

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : raluca.tiron@cea.fr

Dans le contexte d’une miniaturisation des circuits imprimés dans l’industrie de la microélectronique, les méthodes de structuration optiques appelées photolithographies arrivent en limite de résolution. L’utilisation complémentaire de l’auto-assemblage dirigé (DSA) de copolymère à blocs permet de repousser les dimensions critiques (CD) atteignables tout en multipliant la densité des structures obtenues. Rapides, bas coût et compatibles avec les équipements déjà disponibles dans l’industrie, les différents procédés DSA mettent en jeu des matériaux qui peuvent former des motifs de dimensions inférieures à la vingtaine de nanomètre. L’objectif de ce  stage consiste à disposer d’une technique de structuration de nano-pilliers, haute résolution et faible coût, en combinant les techniques de lithographie conventionnelle et d’auto-assemblage de copolymères à blocs. La compréhension des mécanismes d’auto-organisation couplée aux interactions des chaînes de polymère avec le substrat sera nécessaire pour contrôler l’orientation des nano-domaines. Pour cela, différentes méthodes de caractérisation morphologiques et structurales seront utilisées : microscopie électronique à balayage, ellipsométrie, AFM, mesure d’énergie de surface, etc. Les paramètres mis en jeu au cours du procédé DSA seront ensuite optimisés afin de déterminer les meilleures performances atteignables en terme d’uniformité et de défectivité des motifs. Ces performances seront finalement comparées aux recommandations de l’IRDS. Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mme. TIRON à l'adresse suivante : raluca.tiron@cea.fr

Etude du fluage des résines microlentilles pour les applications Image sensor CMOS H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2, Ingénieur

7202

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : nacima.allouti@cea.fr

Il existe actuellement plusieurs façons de réaliser des microlentilles en industrie dont la plus utilisée est celle qui consiste a définir par lithographie conventionnelle des motifs rectilignes que l’on fait ensuite fluer pour obtenir la forme circulaire de la lentille. Ce procédé est difficile à stabiliser et uniformiser, d’autre part il nécessite la double étape de lithographie pour former des lentilles de différentes dimensions ce qui est couteux et sujet à des problèmes d’alignement. L’option Grayscale permet un gain de temps , de meilleures performances overlay entre les séries de lentilles ; et offrira aussi la possibilité d’envisager d’autres designs, formes de lentilles que celles utilisées conventionnellement à conditions de maitriser le procédé de fluage. Le sujet proposé porte sur l’évaluation et la caractérisation de fluage résines pour la réalisation de microlentilles utilisées dans les capteurs d’image CMOS à partir de lithographie grayscale. Le principe du grayscale consiste à utiliser un masque où l’on vient faire varier la densité optique pour moduler l’intensité lumineuse permettant ainsi la création de structure continue en relief dans la résine. L’une des spécificités de ces résines est quelles doivent réticuler sans fluer. En effet l’étude thermique du comportement des résines vis-à-vis du fluage dans la cadre d’une application Grayscale est critique, car c’est la modélisation du masque qui va définir la forme finale de la microlentille et non le procédé de fluage post lithographie; d’où la nécessité de définir les conditions optimales de recuit afin que la forme de la lentille transférée par grayscale dans la résine ne bouge pas ou très peu. Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mme. ALLOUTI à l'adresse suivante : nacima.allouti@cea.fr

Développement de procédés de retrait selectif de nitrure de silicum par voie chimique H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2

7200

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : pierre.noe@cea.fr

Le boom de la communication nomade (smartphones, tablettes, cloud..) ainsi que de l’internet des objets (IoT) entraîne une forte croissance de la demande pour des composants toujours plus performants et économes en énergie. Pour atteindre ces objectifs tout en permettant à l’industrie de rester économiquement viable les transistors doivent être miniaturisés de façon à ce que leur densité double tous les 18 mois (loi de Moore, cofondateur d’Intel). La performance des transistors est caractérisée par la longueur de leur grille qui diminue donc sans cesse en accord avec la loi de Moore, et qui atteint actuellement 10nm. A cette échelle sub-décananométrique de nombreux challenges technologiques émergent pour fabriquer les différents éléments d’un transistor CMOS, parmi lesquels la réalisation des espaceurs de grille en nitrure de silicium. Le procédé de gravure plasma habituellement utilisé pour réaliser ces espaceurs atteint ses limites à cette échelle et le LETI a donc développé une nouvelle approche pour surmonter ces obstacles, basée sur la modification du nitrure silicium qui peut ensuite être retiré sélectivement grâce à une gravure chimique. Le stage se déroulera dans la salle blanche du LETI, en travaillant sur des substrats de silicium de 300mm. Le travail portera sur l’évaluation de procédés de retrait par voie chimique en phase liquide ou gazeuse avec pour objectif d’atteindre les meilleurs sélectivités possibles entre le nitrure de silicium modifié et les autres matériaux présents à ce stade de l’intégration dans un transistor CMOS (silicium, oxyde de silicium, nitrure de silicium non-modifié). Vous serez en charge de réaliser les essais combinant modification du nitrure de silicium et retrait chimique en utilisant des équipements automatisés semblables à ceux utilisés dans l’industrie du semiconducteur. Des plans d’expérience seront construits en faisant varier les paramètres des procédés dans l’objectif de maximiser la vitesse de gravure et les sélectivités. Une part importante du stage sera consacrée à caractériser les essais afin de quantifier les performances ainsi que de mettre en évidence les mécanismes mis en jeu. Les techniques de caractérisation comprendront mesures d’épaisseur par ellipsométrie, MEB, AFM, caractérisations physico-chimiques par infra-rouge et XPS. Un travail bibliographique sera aussi demandé afin d’étayer les résultats obtenus pendant le stage. Ce stage se déroulera dans un environnement de recherche avec de multiples interlocuteurs. Il vous sera demandé une grande rigueur, la capacité à analyser et synthétiser un grand nombre de résultats, de l’autonomie et des qualités relationnelles.

Gravure plasma de matériaux diélectriques pour la microélectronique H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

2 mois minimum

DUT mesures physiques ou DUT chimie

7199

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : romain.sommer@cea.fr

Le Département Technologie Silicium du LETI utilise pour la fabrication de ces démonstrateurs sur tranche de silicium des procédés de gravure plasma permettant de graver des structures allant jusqu'à quelques dizaines de nanomètres. Le LETI possède ainsi un équipement de gravure plasma de matériaux diélectriques largement employés dans l'industrie microélectronique et de ce fait indispensable à la réalisation de différents systèmes réalisés dans nos salles blanches (transistors de puissance, mémoires, circuits photoniques..). Le stage consiste à faire l'état des lieux des procédés plasma utilisés dans un des équipements de la plateforme silicium LETI et à en étudier les vitesses et uniformités de gravure ainsi que les sélectivités aux sous couches. Vous devrez ainsi formé sur l'équipement en salle blanche à la gravure plasma et vous réaliserez des mesures d'épaisseurs de couches minces par éllipsométrie. Ce travail sera validé par un document de synthèse permettant de faciliter le travail et le choix des procédés par les ingénieurs et les techniciens travaillant dans la zone "gravure" de la salle blanche. Il sera également l'occasion pour vous de comprendre les mécanismes intervenant dans ce type de procédés et de découvrir les différentes étapes entrant dans la fabrication des puces électroniques. Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mr SOMMER à l'adresse suivante : romain.sommer@cea.fr

Développement d'un procédé de gravure par plasma H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

Master 2

7198

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : pauline.burtin@cea.fr

Le sujet s'inscrit dans le cadre projet IRT POWERGAN, projet critique pour le LETI en partenariat avec les industriels sur une technologie en devenir telle que l'électronique de Puissance. Les domaines d'application sont l'automobile électrique et les énergies renouvelables. Le stage consiste à développer un procédé de gravure par plasma dans un équipement industriel sur la plateforme du LETI, répondant à des spécifications définies avec le client externe, ST Microelectronics, sur les briques Grille et Contact, critiques dans la fabrication du composant. Un critère primordial sera de minimiser le dommage causé par la gravure plasma sur le matériau GaN. L'évaluation du procédé sera faite par une caractérisation morphologique adaptée (CD-SEM, AFM, FIB/SEM) et une mise en œuvre sur dispositif électrique. Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mme BURTIN à l'adresse suivante : pauline.burtin@cea.fr

Matériaux chalcogénures innovants pour circuits neuromorphes photoniques H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2

7184

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : pierre.noe@cea.fr

Les nouvelles architectures de circuits électroniques dits « neuromorphiques » visent à reproduire le fonctionnement du cerveau pour optimiser la puissance de calcul des ordinateurs et in fine de développer ce qu’on appelle communément l’ « intelligence artificielle ». Les réseaux neuromorphiques photoniques, basés sur la lumière comme vecteur de l’information, offrent de nouveaux potentiels en terme de capacité de calculs. Dans ce cadre au LETI nous nous intéressons au développement des fonctions optiques de base nécessaires pour réaliser ces circuits neuromorphiques. Pour cela, l’un des objectifs est d’identifier un matériau permettant de transiter de manière réversible d’un état vers un autre tout en répondant à un cahier des charges précis en terme de propriétés optiques vs la transition : minimum de variation de perte optique versus le changement de phase, vitesse de transition élevée, faible coût énergétique pour induire la transition, fort contraste d’indice optique entre les deux états … Ainsi, les matériaux chalcogénures à changement de phase (PCM) semblent les matériaux les plus prometteurs. En effet, les PCMs présentent la propriété unique de pouvoir transiter entre une phase amorphe et une phase cristalline avec des propriétés optique et électronique très différentes, ceci de manière réversible et quasi infinie. Aussi, les PCMs sont actuellement déjà très largement utilisés dans les mémoires à changement de phase optiques (avec les DVD-RAM et CD-RW) et électroniques (avec la technologie OptaneTM d’INTEL dévoilée très récemment). Enfin, au LETI nous avons une très longue expérience sur ces matériaux PCMs pour toutes ces applications que ce soit en couches minces ou en nanostructures et d’un point de vue élaboration, caractérisation, modélisation et intégration dans des dispositifs. L’objectif du stage est de développer un matériau à changement de phase présentant un minimum de pertes optique à 1,55 µm qui est la longueur d’onde utilisée en photonique. L’étudiant déposera par pulvérisation cathodique des couches minces de chalcogénures PCM à base de Ge(Sb)SexTe1-x, avec substitution progressive du Te par le Se afin d’augmenter la transparence du matériau tout en conservant de bonnes propriétés de changement de phase. Pour cela, il étudiera les propriétés de changement de phase en fonction de l’évolution des propriétés optiques par ellipsométrie spectroscopique, détermination de l’énergie d’activation de cristallisation et stabilité thermique de la phase amorphe par réflectivité en température, étude de la phase cristalline par diffraction des rayons X  .... à A l’issue de ce stage et en collaboration avec les équipes du département optronique (DOPT), de 1ers design d’intégration seront réalisés sur la base des propriétés du matériau PCM le plus prometteur (ex. : dépôts sur cavités optiques résonantes). Pour postuler à cette annonce, merci de contacter M. NOE : pierre.noe@cea.fr

Super-réseau de chalcogénures en couches pour des mémoires innovantes à changement de phase H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2

7183

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : pierre.noe@cea.fr

Les mémoires à changement de phase sont les meilleures candidates pour remplacer les mémoires Flash, pour la réalisation de mémoires universelles ainsi que pour le neuromorphique. Néanmoins, celles-ci présentent toujours des courants de programmation trop élevés pour les futures générations de mémoires limitant leur utilisation. Le remplacement du matériau PCM GeSbTe massif par des hétérostructures  de type super-réseaux van der Waals GeTe/Sb2Te3 est une voie très prometteuse avec les iPCM. Bien que l’amélioration des performances avec les iPCMs soit admise, l’origine du mécanisme de transition résistive reste obscure. Ceci est principalement lié à l’absence de description robuste de leur structure à l’échelle atomique. Afin de pouvoir aller plus loin avec ce système il reste encore un gros travail de compréhension et de contrôle de la structure atomique de ces systèmes vs les conditions de croissance van der Waals par co-pulvérisation cathodique en 200 mm au regard des propriétés électroniques pour pouvoir in fine mettre en évidence le mécanisme physique à l’origine de la transition résistive dans les dispositifs iPCMs. Cette compréhension est indispensable pour être en mesure de proposer de nouveaux systèmes de structures vdW iPCMs encore plus performantes mais aussi développer de nouvelles applications L’objectif du stage sera d’étudier l’impact des conditions de croissance van der Waals (vdW) réalisée par co-pulvérisation cathodique dans des bâtis industriels de microélectronique 200/300 mm sur la structure de ces super réseaux GeTe/Sb2Te3. La structure de ces super-réseaux sera comparée à celle d’alliages GeSbTe massifs déposés par épitaxie vdW et comportant une composition atomique moyenne identique. Vous ferez appel à des outils de caractérisation structurale avancés comme la XRD haute résolution et le STEM/HAADF (en collaboration étroite avec le service de microscopie électronique du LETI). La description de la structure passera en particulier par la quantification précise de l’intermixing atomique Ge/Sb dans les plans de cations en fonction des conditions de croissance. Les propriétés électroniques des différents matériaux élaborés seront mesurées par mesure de la résistivité en fonction de la température. Dans un second temps, sur la base de notre expérience passée et des expériences réalisées pendant le stage, un premier modèle de structure issu de la simulation des images STEM-HAADF (ordre atomique local) et des données de XRD sera utilisé comme donnée d’entrée pour des simulations de dynamique moléculaire ab initio afin de simuler le mécanisme de de transition structurale sous application de pulses électriques. L’objectif sera de proposer des pistes pour l’origine du mécanisme de transition à l’origine du changement de propriétés électroniques via des simulations AIMD à l’état de l’art réalisées sur des modèles robustes de l’ordre de ~1000 atomes. Pour postuler à cette annoncer, merci de contacter Mr NOE : pierre.noe@cea.fr

Spectroscopie quantitative à l'echelle nanométrique H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2, Ingénieur

7181

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : vincent.delaye@cea.fr

L'objectif de ces travaux est de combiner les techniques de spectroscopies EELS et EDX² en microscopie électronique en transmission (TEM) pour cartographier les éléments chimiques de manière quantitative des matériaux et composants. L'objectif est de répondre au besoin d'informations chimiques quantitatives à l'échelle nanométrique des équipes procédés et filières : composition ou dopants pour les nœuds 7nmn ln ou Al dans les alliages à base de GaN pour l'éclairage ou la puissance. Aspect novateur : il s'agit d'exploiter les avantages de chacune des techniques selon les éléments étudiés et de mettre en place des stratégies d'acquisition ou de traitement des données permettant d'en améliorer la sensibilité et la robustesse. Instrumentation : deux microscopes de la PFNC (Themis et Osiris) sont équipés de systèmes EDS et EELS à l'état de l'art, ils permettent notamment une acquisition simultanée des signaux à une vitesse de 1000 spectres/s. Dans le cadre du stage, des échantillons modèles seront préparés par faisceau d'ions focalisés (FIB). es expériences aux microscopes seront réalisées avec les encadrants, une formation aux microscopes sera également dispensée. Le candidat pourra également s'appuyer sur les doctorants de l'équipe pour exploiter les outils informatiques de traitement des données. Pour postuler à cette annonce, merci de contacter Mr DELAYE à l'adresse suivant : vincent.delaye@cea.fr

Photoémission avancée pour l'analyse générique des interfaces critiques H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2 Matériaux/Physique/semi conducteurs

7179

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : olivier.renault@cea.fr

Le CEA LETI au cœur du campus de MINATEC rassemble 1900 collaborateurs pour couvrir tous les champs de la recherche technologique et travailler avec près de 300 partenaires industriels. Il développe notamment des méthodes innovantes d'analyse de matériaux en métrologie et nano-caractérisation pour les besoins des technologies génériques du futur comme les mémoires, les dispositifs de puissance et la photonique intégrée sur silicium. Le stage adresse le défi de l'analyse non destructive des interfaces profondément enterrées par de nouvelles méthodes de spectroscopie de photoélectrons par rayons X (XPS). L'objectif du stage est de consolider les approches analytiques en XPS utilisant les pertes d'énergies et adresser la métrologie et caractérisation des interfaces enterrées dans une ou plusieurs filières technologiques génériques (puissance, mémoires..). Une première partie du travail consistera à évaluer les performances en analyse quantitative et à optimiser les méthodes existantes d'analyse des pertes inélastiques. Un large panel d'échantillons (base GaN ou autre) sera considéré. Ensuite, le stage abordera des solutions de rupture avec l'utilisation de nouvelles sources de rayons X durs et la mise en place de solutions pour le traitement automatique de gros volume de spectres. Pour postuler à cette annonce, merci de contacter Mr RENAULT à L'adresse suivante : olivier.renault@cea.fr

NanoCaractérisation de GaN par SIMS H/F

DTSI

Technologies micro et nano - Technologies micro et nano

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

M2 / 3èA Ecoles d'Ingénieur (PHELMA, Centrale Lyon..)

7177

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : marc.veillerot@cea.fr

L'objectif de ces travaux est de mettre au point des méthodes de détermination de la composition chimique de couches nanométriques à base de nitrure de gallium GaN en utilisant la technique d'analyse SIMS. Ces matériaux trouvent des débouchés industriels grandissants dans des applications de haute technologie comme l'électronique de puissance, l'éclairage LED... Le but est de mettre au point des protocoles robustes et sensibles de quantification de la composition chimique et du dopage de multicouches constituées à partir de GaN à l'aide du SIMS de dernière génération spécialement dédié à la caractérisation de couches très minces, disponible à la PlateForme de NanoCaractérisation. La microscopie à Force Atomique (AFM) sera aussi sollicité pour caractériser des états de surfaces des couches avant et après analyse SIMS. Des échantillons de différentes composition/dopage seront caractérisés. Vous serez formé aux différentes techniques sous la tutelles des encadrants. Les résultats seront analysés avec les développeurs des matériaux pour valider leur développement. Ces protocoles seront alors disponibles pour comprendre et résoudre les enjeux technologiques autour de la mise en œuvre de ces matériaux. Pour postuler à ce poste, merci de contacter Monsieur VEILLEROT à l'adresse suivante : marc.veillerot@cea.fr

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