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Les Post-Docs par thème

Sciences pour l'ingénieur >> Electronique et microélectronique - Optoélectronique
12 proposition(s).

Conception en vue de la fiabilité des composants microélectroniques numériques

Département Architectures Conception et Logiciels Embarqués (LIST-LETI)

Laboratoire Fiabilité et Intégration Capteur

Thèse en conception des circuits microélectroniques

01-03-2018

PsD-DRT-18-0010

valentin.gherman@cea.fr

Les mémoires non-volatiles de type flash sont un élément clé pour le développement des applications haute-température dans l'aérospatial, l'industrie automobile et l'industrie du forage. Malheureusement, le temps de rétention des mémoires flash est fortement dégradé par la haute-température et peut être considérablement diminué même à des températures plus modérées, particulièrement dans le cas où il faut stocker plusieurs bits par cellule. Cet effet peut être estompé à travers un rafraîchissement périodique des données. Le problème est que, en présence des variations de température dues à un changement des conditions environnementales et/ou de charge de travail, une fréquence de rafraîchissement fixe doit être adaptée au pire cas et risque d'entraîner des pertes en termes de performance et endurance. Le premier objectif de ce projet est d'implémenter une méthode de rafraîchissement basée sur l'utilisation d'un compteur permettant de : (a) suivre l'évolution de l'impact de la température sur le temps de rétention des mémoires flash, (b) générer des alertes sur l'imminence d'une perte de données et (c) fournir des timestamps. Le deuxième objectif du projet est de déterminer la loi qui gouverne l'évolution avec le temps des fautes de rétention dans une mémoire flash. Le but est l'implémentation d'une technique capable de déterminer le temps de rétention restant de chaque page mémoire en fonction de l'âge de rétention, i.e. le temps écoulé depuis le stockage des données, et le nombre des erreurs de rétention et non-rétention. Le travail du post-doctorant inclura la publication des résultats scientifiques dans des conférences internationales et journaux de haut niveau.

Conception de circuit et de systèmes de communication ultra low power pour wake-up radio

Département Architectures Conception et Logiciels Embarqués (LIST-LETI)

Laboratoire Architectures Intégrées Radiofréquences

Thèse dans le domaine de la conception de circuit

01-01-2019

PsD-DRT-19-0026

dominique.morche@cea.fr

Aujourd'hui, il y a une forte demande de développement de systèmes de wake-up radio autonomes dont les performances puissent être adaptées en fonction des besoins de l'application. Il est critique que ces systèmes disposent également d'horloge indépendante et ultra basse consommation. L'objectif du projet proposé est d'exploiter les capacités de la technologie CMOS FD-SOI pour développer ce type de systèmes, en améliorant la consommation et les performances des systèmes au delà de l'état de l'art, grâce aux faibles capacités et au body biasing de la technologie FD-SOI 22nm. Une attention particulière sera accordé à la mise au point de système de synthèse de fréquence à forte efficacité énergétique et faible temps d'établissement. Le candidat travaillera aussi bien sur les aspects systèmes que conception de circuit dans une équipe qui dispose d'une solide expérience sur le sujet

New RF System and Circuit Design approach in joint optimization with disruptive technologies

Département Architectures Conception et Logiciels Embarqués (LIST-LETI)

Laboratoire Architectures Intégrées Radiofréquences

Thèse en conception analog/RF

01-01-2019

PsD-DRT-19-0027

dominique.morche@cea.fr

L'objectif de ce contrat post-doctoral et de valider et d'améliorer une nouvelle approche d'optimisation de circuits et de systèmes sur un large spectre d'applications. Le candidat sera en charge de créer des modèles architecturaux des modèles considérés prenant en compte les différentes solutions qui peuvent être utilisées. Il faudra démarrer par des implémentations relativement simple et augmenter progressivement la complexité et la précision pour être en mesure de se comparer avec des systèmes complets et réels développés au CEA. Dans ce but, le candidat devra travailler en collaboration étroite avec de nombreuses équipes travaillant sur le développement de technologies, de modèlisation, characterization, conception de circuit et modèlisation. Pour valider l'approche proposer, l'objectif du candidat sera de l'évaluer à trois niveaux différents : au niveau de blocs élémentaires (tels que LNA ou oscillateur en anneau) utilisant la technologie 22FDX, au niveau de blocs fonctionnels (tels que des front-end module WIFi) utilisant la technologie 130nm PD-SOI et enfin sur des imagers et des radars millimétriques exploitant les technologie 3D.

Développement de modèles innovants permettant l'optimisation conjointe technologie/design/système

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire de Simulation et Modélisation

microélectronique, optronique, simulation

01-01-2019

PsD-DRT-19-0028

luca.lucci@cea.fr

Le projet dans lequel ce post-doc s'inscrit a pour ambition de proposer une approche nouvelle d'étude et d'optimisation des circuits et des systèmes, en prenant en compte les caractéristiques détaillées des technologies utilisées, des méthodologies de conception et des architectures choisies. L'objectif est de mettre en place une compétence transverse unique d'évaluation des technologies et des architectures, allant au-delà des analyses de type PPA, PPAY, PPAC usuellement utilisées pour évaluer les circuits. Le sujet du post-doc se concentre sur le développement de modèles simplifiés de dispositifs actifs et passifs, qui constituent les briques de base de la méthodologie d'optimisation robuste qui sera mise en place dans le projet. Les travaux de modélisation des devices actifs auront comme point de départ l'approche développée à l'EPFL, basée sur des expressions analytiques d'invariants mettant en oeuvre le coefficient d'inversion.

Modélisation des fuites et effets de piégeages dans les substrats épitaxiés GaN sur Si

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire de Caractérisation et Test Electrique

PhD in Mirco/Power Electronics or TCAD Simulation

01-03-2019

PsD-DRT-19-0031

william.vandendaele@cea.fr

La compréhension et la modélisation des fuites verticales et des effets de piégeages dans les substrats GaN sur Si font partie des sujets cruciaux d'études visant à améliorer les propriétés des composants de puissance sur GaN : réduction du current collapse, réduction du courant de fuite à l'état OFF, augmentation de la tension de claquage Vbd. De nombreuses universités et industrielles tentent de modéliser les fuites verticales mais jusqu'à l'heure aucun mécanisme clair n'émerge de ces travaux pour les modéliser correctement sur toute la gamme de tension visée et leur dépendance en température. Ces mécanismes de fuites impactent directement la current collapse (effet parasite) et doivent être pleinement compris afin d'optimiser la structure épitaxiée. L'étude des fuites et des effets parasites dans les couches épitaxiées seront menées par le candidat par différents biais : Des caractérisations électriques avancées (IV, It, substrate ramping, CV) en fonction de la température et de l'illumination sur des substrats épitaxiés ou directement sur des composants finis (HEMT, Diodes) Les données de caractérisation seront traitées afin d'extraire les paramètres relevant ainsi que pour identifier les mécanismes de fuites (FN, TAT, VRH, PF etc?) Des modèles TCAD seront mis en place afin de reproduire les résultats expérimentaux via le mécanismes identifiés Le candidat devra être force de proposition pour améliorer les différentes parties du substrat

Quantification de particules fines dans l'environnement avec des nanoresonateurs

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire Composants Micro-Capteurs

Doctorat physique appliquée, micro/nanosystèmes, systèmes sous vide

01-06-2019

PsD-DRT-19-0033

sebastien.hentz@cea.fr

Il existe aujourd'hui des solutions pour détecter et quantifier les particules de type PM10 et PM2.5 (10 et 2.5µm); leur fiabilité dépend essentiellement de leur coût. Ces solutions sont essentiellement optiques, et celles-ci doivent pouvoir être améliorées pour des particules jusqu'au micron. Pour les particules encore plus petites et encore plus dangereuses pour la santé, il ne semble pas exister de solution évidente aujourd'hui. Les résonateurs nanomécaniques sont très performants dans ces gammes de taille/masse, comme le démontrent nos résultats obtenus avec le banc dédié aux objets biologiques en milieu liquide, récemment publiés par la revue Science (http://science.sciencemag.org/content/362/6417/918). Ces nanorésonateurs apparaissent donc comme une technologie prometteuse pour la détection des PM en particulier pour certaines applications de contrôle de la qualité de l'air en temps réel. Il s'agira donc d'étudier la possibilité de détecter des particules dans l'air en particulier celles qui sont difficilement détectables aujourd'hui (PM<0.5). Nous nous appuierons très largement sur les bancs développés pour la détection de particules biologiques en milieu liquide. Il s'agira de profiter de ce savoir-faire et d'adapter les architectures système, mais aussi les résonateurs nanomécaniques eux-mêmes pour la détection de particules en aérosol. Nous ciblerons ici des nanoparticules représentatives, organiques, pathogènes ou non. En termes de résonateurs, nous profiterons également des fabrications en cours, avec des designs spécifiques (électriques ou optomécaniques) pour cette application. Nous étudierons particulièrement la possibilité de prévenir les problèmes d'encrassement. Le candidat sera totalement intégré dans l'équipe autour de la détection de masse avec des nanorésonateurs.

Electronique analogique cryogénique pour le calcul quantique

Département Architectures Conception et Logiciels Embarqués (LIST-LETI)

microelectronique, conception analogique

01-02-2018

PsD-DRT-18-0041

gael.pillonnet@cea.fr

Ce post doctorat est dans le cadre d'un programme de recherche avancé et stratégique pour le CEA (Léti et INAC) dans le domaine du calcul quantique. Vous étudierez et dimensionnerez des circuits électroniques de lecture et d'écriture de bits quantiques à température cryogénique. Cette proposition vous est dédiée si vous recherchez un post doctorat au contenu technique ambitieux et si vous êtes désireux d'acquérir une expérience dans la recherche technologique. Ce post doctorat vous donne l'opportunité d'acquérir une expertise sur un sujet de recherche amont : le calcul quantique via l'électronique cryogénique, pouvant emmener à terme à une rupture technologique dans le domaine du calcul numérique. Vous aurez également une vision au c?ur d'un projet ambitieux dans un environnement conciliant recherche amont et transfert industriel, un atout unique du CEA-LETI.

Developement de modules technologique à basse temperature pour la 3D sequentielle en vue de la fin de la roadmap

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire d'Intégration des Composants pour la Logique

Phd en microelectronique

01-03-2019

PsD-DRT-19-0048

claire.fenouillet-beranger@cea.fr

L'intégration 3D séquentielle est envisagée comme l'une des solutions possibles pour la fin de la roadmap CMOS. Différents modules process ont été développés à 500°C en FDSOI planaire en intégration gate first. Cependant compte-tenus des résultats récents de stabilité des transistors du bas obtenus, des considérations de rendement, un besoin de réduire encore cette température à 450°C est envisagé. Ainsi le post-doctorant aura en charge le développement de modules technologiques à basses températures 450°C et 500°C pour du FDSOI planaire. Une attention particulière sera apportée au développement du module grille à basse température. La modulation de la tension de seuil sera aussi adressée. Ce travail sera fait en collaboration avec les équipes process de la plateforme technologique du LETI ainsi qu'avec les equipes de caractérisation électrique et de simulations TCAD.

Etude de faisabilité et développement des moyens permettant la simulation SPICE des circuits à base de Qubits silicium

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire de Simulation et Modélisation

doctorat

01-08-2019

PsD-DRT-18-0056

sebastien.martinie@cea.fr

Le modèle Compact / SPICE est le lien entre le développement des briques technologiques et la conception du circuit. L'objectif du modèle est de reproduire avec précision les caractéristiques expérimentales essentielles à la conception de circuit numérique, analogique et mixte. Dans le domaine du quantum computing, identifier puis développer les moyens à fournir aux concepteurs pour réaliser et optimiser les circuits quantiques demande une étude approfondie, prenant en compte les spécificités de fonctionnement des Qubits et les contraintes de la simulation SPICE. Le principal challenge est de pouvoir décrire le comportement quantique de cette architecture. Il faudra également étudier si ce comportement doit être décrit via les grandeurs physiques (p.ex. spin électronique, niveau d'énergie ?) ou par des grandeurs logiques (état quantique, matrice de transformation, ?). Il faudra aussi prendre en compte la compatibilité entre le formalisme mathématique et les outils standards de modélisation compacte (description Verilog-A). Suite aux récentes activités de recherche expérimentale (entre le CEA et le CNRS) concernant la première démonstration du Qubit de spin de trou sur SOI, nous proposons d'abord d'étudier les moyens de modéliser un tel dispositif grâce à une approche de macro-modélisation, où le modèle compact SET, l'inclusion de la dégénérescence du spin magnétique et la gestion de l'excitation RF constituent les étapes principales. Les défis par rapport à l'état de l'art sont l'inclusion du champ magnétique dans le modèle SET, la description de la résonnance tunnel, l'excitation RF d'un SET et la reproduction des oscillations de Rabi.

Bases de temps pour la technologie 5G à base de résonateurs acoustiques

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire Composants Radiofréquences

Titulaire d'un doctorat dans le domaine des résonateurs microsystèmes ou similaire, connaissances en caractérisation et physique du dispositif

01-09-2019

PsD-DRT-19-0063

marc.sansaperna@cea.fr

Les systèmes RF millimétriques 5G auraient besoin d'utiliser des modulations de plus en plus complexes pour augmenter les débits, mais ils sont limités aujourd'hui par le bruit de phase des oscillateurs locaux. Une des solutions est d'utiliser des bases de temps à plus haute fréquence que les technologies actuelles, idéalement de quelques GHz. Les résonateurs basés en microsystèmes électromécaniques (MEMS) représentent une voie privilégiée capable d'atteindre ces spécifications. Le CEA-LETI dispose d'une expérience prouvée dans les champs des résonateurs d'ondes acoustiques (Reinhardt et al. IEEE-IMSD, 2012) et des MEMS en silicium (Dominguez-Medina et al. Science 2018), notamment sur les dispositifs bas bruit (Sansa et al. Nature Nanotech. 2016). Cette expertise, sa plateforme technologique (8500m2 de salle blanche) et une gamme de procédés de fabrication unique dans le monde font du Leti un des principaux acteurs de l'innovation dans le domaine. Le projet du post-doc consistera au développement de bases de temps MEMS haute performance dans la bande de fréquences 1-5 GHz. Le post-doc partira de résonateurs MEMS déjà existants au laboratoire pour les caractériser et identifier des voies d'amélioration. A partir des résultats de cette étude, il sera en charge du design et de la caractérisation d'une nouvelle génération de composants. Le candidat sera titulaire d'un doctorat dans le domaine des résonateurs microsystèmes ou similaires, avec des bonnes connaissances caractérisation et physique du dispositif.

Developement de la technologie FDSOI au delà du noeud 10nm

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire d'Intégration des Composants pour la Logique

Doctorant en microelectronique

01-11-2018

PsD-DRT-18-0074

claire.fenouillet-beranger@cea.fr

Le FDSOI est reconnue comme une technologie prometteuse pour les applications mobiles, l'IOT ainsi que pour les applications radiofréquences pour les futurs n?uds technologiques [1]. Le LETI est un pionnier dans la technologie FDSOI ce qui lui permet d'apporter des solutions innovantes afin de soutenir des partenaires industriels. La réduction d'échelle du FDSOI au delà du n?ud 10nm offres de nouvelles perspectives en termes de SOC et de performances RF. En revanche d'un point de vue intégration cela pose de nouveaux challenges. En effet le réduction de l'épaisseur du canal en dessous de 5nm devient difficile car il faut garantir une bonne mobilité des porteurs tout en conservant une bonne variabilité. Ainsi, l'introduction de solutions technologiques innovantes comme booster de performances devient nécessaire (Stress dans le canal, architectures alternatives de grille, optimisation des capacités parasites, le tout en tenant compte des règles de dessin de plus en plus agressives [2]). La viabilité de ces nouveaux concepts devra être validée dans un premier temps par simulations TCAD et ensuite implémentés sur des lots 300mm. Ce sujet est en ligne parfaite avec la nouvelle stratégie du LETI ainsi qu'en total accord avec l'annonce des futurs investissements [3]. Le candidat sera en charge des simulations TCAD pour définir les variantes à intégrer sur les lots jusqu'à la caractérisation électrique. Les simulations TCAD seront faites en collaboration avec l'équipe TCAD du LETI. Le candidat devra faire preuve d'innovation, de dynamisme, un bon relationnel pour travailler en équipe est indispensable. [1] 22nm FDSOI technology for emerging mobile, Internet-of-Things, and RF applications, R. Carter et al, IEEE IEDM 2016. [2] UTBB FDSOI scaling enablers for the 10nm node, L. Grenouillet et al, IEEE S3S 2013. [3]https://www.usinenouvelle.com/article/le-leti-investit-120-millions-d-euros-dans-sa-salle-blanche-pour-preparer-les-prochaines-innovations-dans-les-puce

Interfaçage direct de capteurs NEMS bio-inspirés avec des réseaux neuronaux à impulsions bio-inspirés à base de mémoires RRAM

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire de Composants Mémoires

circuit design, device characterization

01-06-2019

PsD-DRT-19-0075

elisa.vianello@cea.fr

Les réseaux de neurones artificiels, dont le concept s'inspire du fonctionnement des cerveaux biologiques et de leurs capacités d'apprentissage, sont une approche prometteuse pour répondre aux nouveaux usages informatiques dits « cognitifs », tels que la reconnaissance d'images ou le traitement du signal. Le post doc " Interfaçage direct de capteurs NEMS bio-inspirés avec des réseaux neuronaux à impulsions bio-inspirés à base de mémoires RRAM" consiste à utiliser des mémoires émergeantes de type RRAM pour concevoir une puce électronique de type réseaux neuronaux à impulsion bio-inspirée connectée à un capteur de type MEMS bio-inspiré aussi. L'objectif de ce travail est donc de faire le design, fabriquer et tester une telle puce électronique.

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