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Les Post-Docs par thème

Physique de l?état condensé, chimie et nanosciences  >> Physique du solide, surfaces et interfaces
3 proposition(s).

Simulation de nanofils semi-métalliques

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire d'Intégration des Composants pour la Logique

Doctorat dans le domaine de la simulation ab-initio basée sur les techniques DFT (density functional theory).

01-11-2017

PsD-DRT-18-0004

jean-pierre.colinge@cea.fr

La mission du candidat sera : ? Simulation utilisant des outils ab-initio de la structure de bandes de nanofils de bismuth de différent diamètres (de 1 nm à 10 nm). ? Extraction de paramètres tes que masses effectives, densité d'états, band offsets pour ces nanofils. ? Implémentation de ces paramètres dans un simulateur NEGF pour simuler des transistors en nanofils de bismuth à diamètre variable. ? Simulation ab-initio de l'interface nanofil de bismuth ? diélectrique et étude de différents éléments de passivation chimique. ? Ce travail se fera en collaboration avec le groupe LETI/DCOS/SCME/LSIM (Philippe Blaise) ? Le candidat interagirera avec une équipe expérimentale qui fabriquera les dispositifs simulés et sera amené à aider à encadrer un ou plusieurs doctorants, en collaboration avec IMEP. ? Le candidat interagirera avec le LTM pour les aider à prédire les propriétés de l'interface bismuth-isolant de grille et pour implémenter dans le simulateur les résultats de mesures sur ces interfaces (IMEP).

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Conversion charge-spin dans les isolants topologiques HgTe

Département d'Optronique (LETI)

Laboratoire des Matériaux pour la photonique

PhD in Physics, Spintronics

01-01-2018

PsD-DRT-18-0025

philippe.ballet@cea.fr

L'interface ou la surface d'isolants topologiques contient des états de Dirac qui présentent la propriété particulière de spin-momentum locking qui rend ces systèmes particulièrement attractifs pour le développement de nouveaux effets et applications de spintronique. HgTe contraint est un isolant topologique modèle et de fait un excellent candidat pour la démonstration et le design de composants nouveaux exploitant les propriétés uniques des isolants topologiques. Cette position postdoctorale vise à réaliser la première démonstration expérimentale de la conversion directe charge-spin dans des nanostructures HgTe, et d'utiliser cette conversion pour développer des composants basés sur le transport de spins.

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Jonction tunnel pour LEDs UV: caracterisation et optimisation

Département d'Optronique (LETI)

Laboratoire des Matériaux pour la photonique

PhD in material science

01-09-2018

PsD-DRT-18-0047

guy.feuillet@cea.fr

Au-dela des lampes UV actuelles, les LEDs émettant dans le domaine de l'UV-C (autour de 265 nm) sont considérées comme la solution à moyen terme pour les systèmes de traitement de stérilisation de l'eau. Mais les LEDs UV-C, à base de matériaux du type AlGaN et de leurs hétérostructures à puits quantiques sont encore de trop faible efficacité pour leur utilisation dans des systèmes industriels. L'analyse des raisons qui sous-tendent cette faible efficacité nous ont amenés à proposer une solution basée sur l'utilisation de jonctions tunnel insérées dans l'hétérostructure. L'utilisation de jonctions tunnel p+ / n+ permet d'adresser les problèmes liés au dopage des matériaux grands gaps, mais donne lieu à une résistance tunnel qui doit être diminuée autant que possible. Le travail post-doctoral est dédié à la compréhension des processus tunnel à l'?uvre dans la jonction pour un meilleur contrôle de la résistance tunnel. Le travail post-doctoral sera effectué sur la Plate-Forme de Nano-Caractérisation au CEA/ Grenoble, en faisant appel à différents types de caractérisation structurale, optique et électrique, sur de simples jonctions ou sur des jonctions insérées dans les LEDs UV. Le (la) candidat(e) interagira fortement avec l'équipe du CNRS/CRHEA à Sophia Antipolis où seront épitaxiées les structures. Le travail s'inscrit dans le cadre d'un projet collaboratif « DUVET » financé par l'ANR.

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