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Défis technologiques >> Nano-caractérisation avancée
2 proposition(s).

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Développement de la spectroscopie de masse à temps de vol tandem pour les applications en micro et nanotechnologies

Département des Plateformes Technologiques (LETI)

Laboratoire Analyses de Surfaces et Interfaces

Doctorat en chimie, physique ou science des matériaux

01-12-2020

PsD-DRT-21-0011

jean-paul.barnes@cea.fr

Nano-caractérisation avancée (.pdf)

Le CEA-LETI cherche à recruter un chercheur ou une chercheuse postdoctoral(e) pour développer des nouvelles applications de spectrométrie de masse des ions secondaires à temps de vol (TOF-SIMS) pour des applications en micro et nanotechnologies. Le ou la candidat(e) travaillera avec un nouvel instrument équipé avec un spectromètre de masse à temps de vol tandem, un FIN in-situ et un canon à cluster d'argon. Le projet de recherche sera articulé autour de trois axes ; - Développent des méthodes corrélatives entre TOF-SIMS, AFM, XPS et Auger - Amélioration de la sensibilité et efficacité des fragmentions dans la spectromètre tandem MS - Développement des applications 3D FIB-TOF-SIMS amélioration de la résolution spatiale. Le ou la candidat(e) aura accès à une gamme étendu d'instruments à l'état de l'art sur la plateforme de nanocaractérisation du CEA Grenoble, pourra bénéficier des échantillons fait à façon issus des différentes filières technologiques du LETI. Ce projet sera mené en étroite collaboration avec l'équipementier.

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Caractérisation physique avancée par photoemission haute-énergie (HAXPES) en mode operando d'interfaces critiques dans des mémoires résistives à manganites de lanthane

Département des Plateformes Technologiques (LETI)

Laboratoire Analyses de Surfaces et Interfaces

PhD in materials physics or engineering

01-02-2021

PsD-DRT-21-0018

orenault@cea.fr

Nano-caractérisation avancée (.pdf)

Les hétérostructures à base de manganites de lanthane présentent des caractéristiques très intéressantes de basculement résistif avec notamment des états multi-niveaux compatibles avec les mémoires avancées pour application au calcul neuromorphique. Les bénéfices de la spectroscopie de photoélectrons à haute-énergie (HAXPES) pour comprendre les mécanismes de basculement résistif dans les mémoires prototypiques intégrant ces matériaux à changement de valence (mémoires dites VCM) ont été montrés en utilisant la rayonnement synchrotron [1]. Nous appliquerons ici cette technique en mode operando (i.e, en appliquant une tension pendant la mesure de photoémission) de manière à sonder l'interface critique oxyde-électrode dans un état résistif particulier. Des mémoires VCM avancés à base de manganites de La dopées Sr élaborées au LMGP seront étudiée avec un nouveau spectromètre HAXPES de laboratoire (CEA, Plate-Forme de Nanocaractérisation du Leti) permettant des études systématiques sur plusieurs dispositifs variant de par l'état de contrainte dans l'oxyde.[1] B. Meunier, E. Martinez, M. Burriel, O. Renault et al., J. Appl. Phys. 126, 225302 (2019).

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