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Défis technologiques >> Nano-caractérisation avancée
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Développement de protocole combiné par cathodoluminescence et microscopie à sonde de Kelvin pour l'étude de systèmes LED

Département des Plateformes Technologiques (LETI)

Laboratoire Analyses de Surfaces et Interfaces

Proper background in solid-state physics is essential. Basic knowledge about scanning probe microscopy or/and luminescence techniques is not mandatory but will be appreciated.

01-06-2021

PsD-DRT-21-0088

Lukasz.Borowik@cea.fr

Nano-caractérisation avancée (.pdf)

Durant ce contrat postdoctoral, l'étudiant sera impliqué dans le développement de techniques de caractérisation innovantes. Le travail consistera en: (1) La corrélation des cartographies CL et KPFM sur différents types de matériaux (GaN, InGaN) pour identifier l'impact de différents défauts (dislocation, V-pits, ?) sur les signaux mesurés. Développement d'un protocole d'analyse fiable pour comparer CL et KPFM, (2) La mise ne place d'un protocole de préparation d'échantillon afin de localiser les zones d'intérêt. Cette étape permettra de réaliser les cartographies CL et KPFM au même endroit et permettra l'analyse comparative des recombinaisons radiatives et non radiatives des défauts. (3) Le système KPFM pompe-sonde sera testé afin d'estimer le temps de vie des processus non radiatifs Le candidat doit être fortement motivé pour apprendre et maitriser les outils de caractérisation sous ultravide et l'analyse de donnée. Ce projet, avec une forte composante transverse, lui permettra de travailler en étroite collaboration avec nos partenaires académiques et industriels, à communiquer en langue anglaise au quotidien, et à être fortement impliqué dans les aspects de publication et de propriété intellectuelle . De bonnes compétences en physique des semiconducteurs sont essentielles. Des connaissances de base en microscopie en champ proche et/ou luminescence ne sont pas indispensables mais seront fortement appréciées.

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